橋本 明弘

所属部署名電気・電子工学講座
教員組織電気・電子工学講座
教育研究組織工学部・工学研究科
職名教授
更新日: 19/07/23 19:02

研究者基本情報

氏名

    橋本 明弘
    ハシモト アキヒロ
    HASHIMOTO Akihiro

基本情報

所属

  •  電気・電子工学講座 教授

学歴

  • 1981年04月- 1983年03月北海道大学 工学研究科 応用物理学
  • 1977年04月- 1981年03月北海道大学 理学部 物理学

学位

  • 工学博士

経歴

  • 2007年04月- 2011年03月国立大学法人 福井大学大学院 工学研究科  電気・電子工学専攻 准教授
  • 2006年10月- 2007年03月福井大学大学院 工学研究科  電気・電子工学専攻 准教授
  • 2006年04月- 2006年10月福井大学大学院 工学研究科  電気・電子工学専攻 准教授
  • 1999年04月- 2006年03月福井大学工学部  電気・電子工学科 准教授
  • 1992年04月- 1999年03月福井大学工学部  電子工学科 准教授
  • 1989年04月- 1992年03月光技術研究開発(株)つくば研究所 プロセス研究部 その他
  • 1983年04月- 1989年03月沖電気工業(株)基盤技術研究所 光デバイス研究部 その他

所属学協会

    北陸信越工学教育協会 評議員,北陸信越工学教育協会 その他,公益社団法人 応用物理学会 編集委員,公益社団法人 応用物理学会 編集委員,公益社団法人 応用物理学会 編集委員,公益社団法人 応用物理学会 編集委員,公益社団法人 応用物理学会 編集委員,応用物理学会北陸支部 その他,電気学会 その他,電気学会 その他,電気学会 その他,応用物理学会北陸支部 その他,応用物理学会 一般会員,日本物理学会 一般会員,

研究活動情報

論文

  • Numerical Analysis Phonon Localization fo Vacancy Typed Disordered Graphene
    Journal of Circuits, Systems, and Computers 24(2) 1540002-1-1540002-16 2015年 査読有り
  • Polarized micro Raman scattering spectroscopy for curved edges of epitaxial graphene
    Md. Sherajul Islam, A. G. Bhuiyan, S. Tanaka, T. Makino, and A. Hashimoto
    Applied Physics Letters 105 243103-1 2014年 査読有り
  • Effect of vacancy defects on phonon properties of hydrogen passivated graphene nanoribbons
    Md. Sherajul Islam, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
    CARBON 80 146-154 2014年08月 査読有り
  • Polarized microscopic laser Raman scattering spectroscopy for edge structure of epitaxial graphene and locarized vibrational mode
    Md. Sherajul Islam, Daisuke Tamakawa, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto
    Carbon 77 1071-1083 2014年06月 査読有り
  • Analysis of vibrational properties of C-doped hexagonal boron nitride (h-BN)
    Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto
    Computational Materials Science 94 225-233 2014年04月 査読有り
  • Effect of boron and nitrogen doping with native point defects on the vibrational properties of graphene
    Md. Sherajul Islam, USHIZIMA, S TANAKA, T MAKINO, A. HASHIMOTO
    Comput. Mater. Sci. 94 35-43 2014年04月 査読有り
  • Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells
    Md. Arafat Hossain, Md. Rafiqul Islam, M. K. Hossain, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Materials for Renewable and Sustainable Energy 2(20) 42018 2013年12月 査読有り
  • Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    K. Sugita, D. Hironaga, A. Mihara, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Japanese Journal of Applied Physics 52(8) 08JD04 2013年06月 査読有り
  • Numericalanalysis on vacancy induced vibrational properties of graphehe nanoribons
    Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
    Computational Materials Science 79 356-361 2013年06月 査読有り
  • Metal-organic vapor-phase epitaxial growth of InGaN and InAlN for multi-junction tandem solar cells
    A. Yamamoto, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Narita
    Materials for Renewable and Sustainable Energy 2(2) 2013年04月 査読有り
  • MOVPE growth of InxGa1-xN (x~0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface
    A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe
    Physica Status Solidi C 10(3) 437-440 2013年03月 査読有り
  • MOVPE Growth of InxGa1-xN (x~0.4) and Fabrication of Homo-junction Solar Cells
    Md. Rafiqul Islam, Md. Rejvi Kaysir, Md. Jahirul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    J. Mater. Sci. Technol. 29(2) 128-136 2013年02月 査読有り
  • Numerical experiments on phonon properties of isotope and vacavcy-type disordered graphene
    Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
    Diamond & Related Materials 40 115-122 2013年01月 査読有り
  • InGaN Solar Cells: Present State of the Art and Important Challenges
    Ashraful G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    IEEE Journal of Photovoltaics 2(3) 276-293 2012年07月 査読有り
  • Highly enhanced migration in Pt-catalyst-assisted MOVPE InN by controlling the catalyst temperature
    K. Sugita, T. Hotta, D. Hironaga, A. Mihara, A. G. Bhuiyan,, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    physica status solidi (c) 9(42067) 697-699 2012年03月 査読有り
  • MOVPE Growth of InGaN on Si(111) Substrates With an Intermediate Range of In Content
    A. G. Bhuiyan, T. Esaki, A. Mihara, K Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, N. Watanabe, H. Yokoyama, N. Shigekawa
    physica status solidi (c) 9(42067) 670-672 2012年03月 査読有り
  • Proposal of high performance 1.55 um quantum dot heterostructure laser using InN
    Md. Mottaleb HOSSAIN, Md. Abdullah-AL HUMAYUN, Md. Tanvir HASAN, Ashraful Ghani BHUIYAN, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    IEICE Transactions on Electronics 95-C(No. 2) 255-261 2012年02月 査読有り
  • Low temperature growth of GaN using catalyst-assisted MOVPE
    K. Sasamoto, T. Hotta, M. Tanaka, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    physica status solidi (c) 8(42193) 2092-2094 2011年07月 査読有り
  • DC and RF performance of an In0.1Ga 0.9N/InN high electron mobility transistor
    S. M. Muhtadi, S. M. Sajjad Hossain, A. G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, M. Mofazzal Hossain
    physica status solidi (c) 8(42193) 2292-2295 2011年07月 査読有り
  • Effects of Cp2Mg supply on MOVPE growth behavior of InN
    K. Sugita, K. Sasamoto, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    physica status solidi (c) 8(42193) 2506-2508 2011年07月 査読有り
  • Platinum-catalyst-assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InN
    K. Sasamoto, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Journal of Crystal Growth 314 62-65 2011年 査読有り
  • MOVPE growth of InAlN/InGaN heterostructures with an intermediate range of In content
    K. Sugita, M. Tanaka, K. Sasamoto, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Journal of Crystal Growth 318 505-508 2011年 査読有り
  • MOVPE growth of high quality p-type InGaN with intermediate In compositions
    K. Sasamoto, T. Hotta, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto, K. Kinoshita, Y. Kohji
    Journal of Crystal Growth 318 492-495 2011年 査読有り
  • Few-layer epitaxial graphene grown on vicinal 6H-SiC studies by DUV raman spectroscopy
    Kenji Kisoda, Susumu Kamoi, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kouhei Morita, Akihiro Hashimoto, Satoru Tanaka
    Applied Physics Letters 97 33108 2010年07月 査読有り
  • InAlNタンデム太陽電池の研究:InAlN/InGaNヘテロ構造の作製
    山本 あき勇, 橋本 明弘, 福井 一俊
    文部科学省 科学研究費補助金 特定領域研究 「窒化物光半導体のフロンティア」平成21年度研究成果報告会資料 42132 2010年03月 査読無し
  • Recent advances in InN-based solar cells: status and challenges in InGaN and InAlN solar cells
    A. Yamamoto, Md. R. Islam, T.T. Kang, A. Hashimoto
    Physica Status Solidi C 7(5) 1309-1316 2010年 査読有り
  • Step-graded interlayers" for the improvement of MOVPE InxGa1-xN (x-o.4) epi-layer quality"
    Md Rafiqul Islam, Y. Ohmura, A. Hashimoto, A. Yamamoto, K. Kinoshita, Y. Koji
    Physica Status Solidi C 7(42193) 2097-2100 2010年 査読有り
  • AlInN/InN metal oxide semiconductor field effect transistor
    Md. Sherajul Islam, Sakib M. Muhtadi, Md. Tanvir Hasan, Ashraful G. Bhuiyan, Md. Rafiqul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Physica Status Solidi C 7(42193) 1983-1987 2010年 査読有り
  • 2DEG properties in InGaN/InN/InGaN-based double channel HEMTs
    Md. Tanvir Hasan, Md. Rejvi Kaysir, Md. Sherajul Islam, Ahraful G. Bhuiyan, Md. Rafiqul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Physica Status Solidi C 7(42193) 1997-2000 2010年 査読有り
  • Elucidation of factors obstructing quality improvement of MOVPE-grown InN
    A. Yamamoto, K. Sugita, A. Hashimoto
    Journal of Crystal Growth 311 4636-4640 2009年11月 査読有り
  • Terahertz characterization of semiconductor alloy AlInN: negative imaginary conductivity and its meaning
    T. T. Kang, M. Yamamoto, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto, R. Sudo, A. Noda, D. W. Liu, K. Yamamoto
    OPTICS LETTERS 34(16) 2507-2509 2009年08月 査読有り
  • Effect of gas flow on the growth of In-rich AlInN films by metal-organic chemical vapor deposition
    T.T. Kang, M. Yamamoto, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Journal of Applied Physics 106 53525 2009年08月 査読有り
  • Raman scattering of In-rich AlxIn1-xN: Unexpected two-mode behavior of A1(LO)
    T. T. Kang, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Physical Review B 79 33301 2009年01月 査読有り
  • Electron Beam Irradiation Effect for Solid C60 Epitaxy on Graphene
    Akihiro Hashimoto, Akio Yamamoto, Horomitsu Terasaki, Satoru Tanaka
    Diamond & Related Materials 18 388-391 2009年01月 査読有り
  • MOVPE growth and Mg doping of InxGa1-xN (x-0.4) for solar cell
    M. Horie, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    Solar Energy Materials and solar cells 93 1013-1015 2009年 査読有り
  • Mg doping behavior of MOVPE InxGa1-xN (x-0.4)
    Md. R. Islam, K. Sugita, M. Horie, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    J. Cryst. Growth 311 2817-2820 2009年 査読有り
  • A porous layer: an evidence for the deterioration of MOVPE InN grown at high temperature (-650C)
    K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    physica status solidi (c) 6(S2) 393-396 2009年 査読有り
  • Effect of oxygen supply on MOVPE InN
    K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    physica status solidi (c) 6(S2) 389-392 2009年 査読有り
  • 超高効率太陽電池の研究開発①(窒化インジウム系)
    山本 あき勇, 橋本 明弘
    (独)新エネルギー・産業技術総合開発機構 平成19年度「太陽光発電技術開発及び関連事業成果報告会 予稿集 190 2008年09月 査読無し
  • Van der Waals epitaxy of solid C60 on graphene sheet
    Akihiro Hashimoto, Kohsuke Iwao, Satoru Tanaka, Akio Yamamoto
    Diamond & Related Materials 2008年05月 査読有り
  • Etching and optical deterioration of nitrogen-face of wurtzite InN in NH3 ambient
    A.Yamamoto, K. Sugita, Y. Nagai, A. Hashimoto
    physica status solidi (c) 5(6) 1762-1764 2008年04月 査読有り
  • Marked improvements in electrical and optical properties for MOVPE InN annealed at a low temperature (300C) in O2 atmosphere
    K. Sugita, Y. Nagai, D. Matsuoka, A. Hashimoto, H. Harima, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 5(6) 1765-1767 2008年04月 査読有り
  • New nitridation technique for mosaicity control in RF-MBE InN growth
    K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
    Phys. Stat. Sol. (c) 5(6) 1771-1773 2008年04月 査読有り
  • A trade-off relation between tilt and twist angle fluctuations in InN grown by RF-MBE
    A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
    Phys. Stat. Sol. (c) 5(6) 1876-1878 2008年04月 査読有り
  • Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN
    Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 5(6) 1571-1574 2008年04月 査読有り
  • Optical properties of InN containing metallic indium
    T. T. Kang, A. Hashimoto, A.Yamamoto
    Applied Physics Letters 92 111902 2008年03月 査読有り
  • InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究
    山本 あき勇, 橋本 明弘, 福井 一俊
    文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア」平成19年度研究成果報告会資料 47 2008年03月 査読無し
  • High-resolution X-ray diffraction analysis of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    W. J. Wang, K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Powder Diffraction 22(3) 219-222 2007年09月 査読有り
  • 超高効率太陽電池の研究開発
    山本 あき勇, 橋本 明弘
    (独)新エネルギー・産業技術総合開発機構 平成18年度「太陽光発電技術開発及び関連事業」成果報告会予稿集 42 2007年07月 査読無し
  • Fabrication and charcterization of C60 FET using highly c-axis oriented poly-crystalline AlN insulator film
    A. Hashimoto, K. Matsumoto, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth 301-302 (2007) 500-503 301-302 1021-1024 2007年03月 査読有り
  • A quantitative study of suppressioneffect for oxygen contamination by Ga beam irradiation in InN RF-MOMBE growth
    A. Hashimoto, K. Iwao, K. Isamoto, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth 301-302 (2007) 1021-1024 301-302 500-503 2007年03月 査読有り
  • Origin of n-Type Residual Carriers in RF-MOMBE Grown InN Layers
    Kohsuke Iwao, Akio Yamamoto, Akihiro Hashimoto
    Physica Status Solidi (c) 4 2453-2456 2007年03月 査読有り
  • Polarity control of InN grown by MOVPE on sapphire (0001)
    W.J.Wang, K.Sugita, Y.Nagai, Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 4(7) 2415-2418 2007年03月 査読有り
  • Characterization of MOVPE InN films grown on 3c-SiC/Si(111) templates
    M.S.Cho, N.Sawazaki, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Ito
    physica status solidi (c) 4(7) 2441-2444 2007年03月 査読有り
  • Adduct formation of CP2Mg with NH3 in MOVPE growth of Mg-doped InN
    Y.Nagai, H.Niwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 4(7) 2457-2460 2007年03月 査読有り
  • Crystallographic deterioration of MOVPE InN during the growth
    K.Sugita, Y.Nagai, Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 4(7) 2461-2464 2007年03月 査読有り
  • InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究
    山本 あき勇, 橋本 明弘, 福井 一俊
    文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア」平成18年度研究成果報告会資料 45 2007年03月 査読無し
  • A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RT-200C)
    A.Yamamoto, M.Miyanishi, T.Kunishige, T.Kobayashi, A.Hashimoto, Y.Nambo
    Journal of Crystal Growth 298 390-393 2007年01月 査読有り
  • Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP2Mg
    A.Yamamoto, Y.Nagai, H.Niwa, H.Miwa, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth 298 399-402 2007年01月 査読有り
  • Effects of GaN-buffer etching in atmospheric-pressure MOVPE growth of InN on sapphire
    A.Yamamoto, Y.Nagai, H.Miwa, A.Hashimoto
    physica status solidi (c) 3(6) 1507-1510 2006年06月 査読有り
  • A comparative study on MOVPE InN grown on Ga- and N-polarity bulk GaN
    W.J.Wang, H.Miwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 3(6) 1519-1522 2006年06月 査読有り
  • Deterioration of MOVPE InN films on sapphire during growth and post-growth annealing
    H.Miwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    physica status solidi (c) 3(6) 1536-1539 2006年06月 査読有り
  • Reduced residual stress in GaN grown on 3c-SiC/Si(111) templates formed by C+-ion implantation
    T.Kobayashi, N.Sawazaki, M.S.Cho, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Ito
    physica status solidi (c) 3(6) 1683-1686 2006年06月 査読有り
  • NH3/TMI molar ratio dependence of electrical and optical properties for atmospheric-pressure MOVPE InN
    A.Yamamoto, H.Miwa, Y.Shibata, A.Hashimoto
    physica status solidi (c) 3(6) 1527-1530 2006年06月 査読有り
  • The most possible donor in InN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
    A.Yamamoto, H.Miwa, Y.Shibata, A.Hashimoto
    Thin Solid Films 494 74-78 2006年01月 査読有り
  • Inhomogeneities in MOVPE InN
    A.Yamamoto, H.Miwa, W.J.Wang, A.Hashimoto
    phys. stat. sol. (a) 203(1) 135-141 2006年01月 査読有り
  • Growth of N-polarity InN by ArF-laser assisted MOVPE
    A.Yamamoto, K.Kasashima, M.Miyanishi, A.Hashimoto
    phys. stat. sol. (a) 203(1) 112-115 2006年01月 査読有り
  • A controlTechnique of oxygen contamination by Ga beam irradiation in InN MOMBE growth
    K. Isamoto, Y. Uesaka, A.Yamamoto, A. Hashimoto
    Physica Status Solidi (c) 3 1629-1632 2006年01月 査読有り
  • Nanoscale photoluminescence mapping for MOVPE InN films using scanning near-field optical microscopy
    H.Miwa, X.D.Gong, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Science and Technology of Advanced Materials 7 282-285 2006年 査読有り
  • 平成17年電気学会産業応用部門大会報告
    杉本 英彦, 橋本 明弘, 千葉 明, 森本 茂雄, 齋藤 涼夫, 松井 幹彦, 見谷 正男, 恩田 寿和, 田岡 久雄
    電気学会論文誌D産業応用部門氏 125(12 付録) 42010 2005年12月 査読無し
  • レーザ誘起光化学反応を用いた低温薄膜成長技術の開発―InN1-xOx膜の形成と光触媒活性の評価―
    山本 暠勇, 橋本 明弘, 南保 幸男, 高山 勝己
    福井県地域結集型共同研究事業「光ビームによる機能性材料加工創成技術開発」最終成果発表会 29 2005年12月 査読無し
  • A possibility of In-N fragments incorporation in InGaAsN MBE growth
    T.Yamaguchi, M.Uchida, K.Isamoto, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth 278(42008) 249-253 2005年08月 査読有り
  • Band gap widening of MBE grown InN layers by impurity incorporation
    Y.Uesaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth 278(42008) 402-405 2005年08月 査読有り
  • Hall electron mobility versus N spatial distribution in III-V-N systems
    A.Hashimoto, T.Yamaguchi, T.Suzuki, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth 278(42008) 532-537 2005年08月 査読有り
  • A new structure of C60/AlN high performance field effect transistor
    H.Nojiri, D.Yokoyama, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Diamond and Related Materials 14(42070) 518-521 2005年06月 査読有り
  • レーザ誘起光化学反応を用いた選択低温薄膜成長装置の実用化可能性と応用展開―InN1-xOx膜の形成と光触媒応用への展開―
    山本 暠勇, 南保 幸男, 高山 勝己, 橋本 明弘
    福井県地域結集型共同研究事業「光ビームによる機能性材料加工創成技術開発」第4回成果発表会 51 2005年02月 査読無し
  • Fabrication and charcterization of C60 FET using AlN insulator film
    A.Hashimoto, H.Nojiri, D.Yokoyama, A.Yamamoto
    Proceedings of the Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surface 64-69 2005年01月 査読無し
  • MOVPE growth of InN under high NH3 decomposition rate conditions
    A.Yamamoto, K.Kasashima, K.Sugita, M.Yasuda, C.Kuroda, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (c) 2(7) 2285-2288 2005年 査読有り
  • MOVPE InN on a 3c-SiC/Si(111) template formed by C+-ion implantation into Si(111)
    A.Yamamoto, T.Kobayashi, T.Yamauchi, M.Sasase, A.Hashimoto, Y.Ito
    Physica Status Solidi (c) 2(7) 2281-2284 2005年 査読有り
  • 高効率太陽電池用III-V族窒化物半導体の局所的歪補償エピタキシャル成長に関する研究
    橋本 明弘
    第5回太陽光発電技術研究組合(PVTEC)技術報告会(C.5) 70-74 2004年05月 査読無し
  • Employment of a GaN buffer in the OMVPE growth of InN on sapphire substrates
    A.Yamamoto, N.Imai, K.Sugita, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth 261 271-274 2004年 査読有り
  • Correlations between electrical and optical properties for OMVPE InN
    A.Yamamoto, K.Sugita, H.Takatsuka, A.Hashimoto, V.Yu.Davydov
    Journal of Crystal Growth 261 275-279 2004年 査読有り
  • Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on a 3c-SiC/Si(111) template formed by C+-ion implantation into Si(111)
    A.Yamamoto, T.Yamauchi, T.Tanikawa, M.Sasase, B.K.Ghosh, A.Hashimoto, Y.Ito
    Journal of Crystal Growth 261 266-270 2004年 査読有り
  • Solid C60 layer growth on AlN (0001) surface for C60 FET structure by MBE
    D.Yokoyama, H.Nojiri, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (c) 2404-2407 2003年12月 査読有り
  • Electrical properties of MBE InGaAsN grown layer
    T.Suzuki, T.Yamaguchi, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (c) 2769-2772 2003年12月 査読有り
  • Preferentially In-N bond formation in InGaAsN layers
    M.Uchida, A.Masuda, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (c) 2745-2748 2003年12月 査読有り
  • 高効率太陽電池用窒化物半導体のエピタキシャル成長に関する研究
    橋本 明弘
    第3回太陽光発電技術研究組合(PVTEC)技術報告会(D.5) 77-82 2003年05月 査読無し
  • Reduced-stress GaN epitaxial layers grown on Si(111) by using a porous GaN interlayer converted from GaAs
    B.K.Ghosh, T.Tanikawa, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Ito
    Journal of Crystal Growth 249 422-428 2003年04月 査読有り
  • Formation of air-Gap structure of GaN films by using an InN interlayer
    T.Tanikawa, Y.Hamano, B.K.Ghosh, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Ito
    Phys. Stat. Sol. (c) 2826-2829 2003年 査読有り
  • Indium nitride (InN): A review on growth, characterization and properties
    A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    J. Appl. Phys. 94 2779-2808 2003年 査読有り
  • Raman Charcterization of Lattice-Matched GaInAsN Layers Grown on GaAs (001) Substrates
    A. Hashimoto, T. Kitano, A.K.Nguyen, A.Masuda, A.Yamamoto, S.Tanaka, M.Takahashi, A.Moto, T.Tanabe, S.Takagishi
    Solar Energy Materials and Solar Cells 75 313-317 2003年 査読有り
  • A comparative study on In-doping effects in MOVPE growth of GaN on Si (111) and sapphire substrates
    T.Tanikawa, Y.Hamano, B.K.Ghosh, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Phys. Stat. Sol. (c) 2562-2565 2003年 査読有り
  • Pyrite (FeS2) prepared by spray method using FeSO4 and (NH4)2Sx
    A.Yamamoto, M.Nakamura, A.Seki, E.L.Li, A.Hashimoto, S.Nakamura
    Solar Energy Materials and Solar Cells 75 451-456 2003年 査読有り
  • Photoluminescence and optical absorption edge for MOVPE-grown InN
    K.Sugita, H.Takatsuka, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Physica status Solidi (b), 240, 421-424 2003年 査読有り
  • Photoluminescence and Raman study of hexagonal InN and In-rich InGaN alloys
    V.Yu.Davydov, A.A.Klochikhin, V.V.Emtsev, A.N.Smirnov, I.N.Goncharuk, A.V.Sakharov, D.A.Kurdyukov, M.V.Baidakova, V.A.Vekshin, S.V.Ivanov, J.Aderhold, J.Graul, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Physica Status Solidi (b), 240, 425-428 2003年 査読有り
  • Improvement of the optical properties of GaN epilayers on Si(111): Impact of GaAs layer thickness on Si and pre-growth strategy
    B.K.Ghosh, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Physica Status Solidi (c), 0, 2725-2728 2003年 査読有り
  • Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy
    A.G.Bhuiyan, K.Sugita, K.Kasashima, A.Hashimoto, A.Yamamoto, V.Yu.Davydov
    Applied Physics Letters, 83, 4788-4790 2003年 査読有り
  • Growth and characterization of epitaxial InN films on sapphire substrate by an ArF excimer laser-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy (LA-MOVPE)
    A.G.Bhuiyan, T.Tanaka, K.Kasashima, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 42, 7284-7289 2003年 査読有り
  • 有機金属原料およびⅤ族水素化物原料の光化学反応過程に関する基礎的検討
    山本 暠勇, 中川 英之, 橋本 明弘
    福井大学地域共同研究センター年報 10, p.27  2002年09月 査読無し
  • Band Gap of InN and In-Rich InxGa1-xN alloys (0.36 < x < 1)
    V.Yu.Davydov, A.A.Klochikhin, V.V.Emtsev, S.V.Ivanov, V.V.Vekshin, F.Bechstedt, J.Furthmulier, H.Harima, A.V.Mudryi, A.Hashimoto, A.Yamamoto, J.Aderhold, J.Graul, E.E.Haller
    Physica Status Solidi (b), 230, R4-R6 2002年 査読有り
  • Improved Electrical Properties for Metalorganic Vapour Phase Epitaxial InN Films
    A.Yamamoto, T.Tanaka, K.Koide, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (a) 194, 510-514 2002年 査読有り
  • Laser Assisted Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (LMOVPE) of Indium Nitride (InN)
    A.G.Bhuiyan, T.Tanaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (a), 194, 502-505 2002年 査読有り
  • Influence of Growth Condition on Superconducting Characteristics of InN on Sapphire (0001)
    T.Inushima, T.Takenobu, M.Motokawa, K.Koide, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Saito, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    Physica Status Solidi (c) 0, 364-367 2002年 査読有り
  • Band Gap of Hexagonal InN and InGaN Alloys
    V.Yu.Davydov, A.A.Klochikhin, V.V.Emtsev, D.A.Kurdyukov, S.V.Ivanov, V.A.Vekshin, F.Bechstedt, J.Furthmulier, J.Aderhold, J.Graul, A.V.Mudryi, H.Harima, A.Hashimoto, A.Yamamoto, E.E.Haller
    Physica Status Solidi (b) 234, 787 2002年 査読有り
  • Optical Properties of RF-MBE Grown AlGaAsN
    K.Yamamoto, M.Uchida, A.Yamamoto, Akihiro Hashimoto
    Physica Status Solidi (b) 234, 915 2002年 査読有り
  • MOVPE growth of high quality InN
    A.Yamamoto, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto
    5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface, Vladivostok, Russia, A-5 2002年 査読有り
  • Boiling KOH Etching Behavior of GaN Buffer and Epitaxial Layers on Sapphire Substrate ? Effects of Substrate-Surface Nitridation and Carrier Gas -
    A.Yamamoto, K.Ikuta, Y.Murakami, T.Yamauchi, A.Hashimoto, Y.Ito
    Physica Status Solidi (c) 0, 152-155 2002年 査読有り
  • High temperature growth of InN on GaP (111)B substrates using a new two-step growth method
    A. G. Bhuiyan, A.Yamamoto, A.Hashimoto, Y. Ito
    Journal of Crystal Growth 236 59-65 2002年 査読有り
  • Method to obtain the Highly Reliable Standard Solution
    M.Ohtaka, A.Miyagiwa, T.Santo, A.Hashimoto, K.Wakabayashi
    Progress In Electromagnetics Research Symposium 2001, p-433 2001年07月 査読有り
  • RF-MBE Growth and Raman Scattering Characterization of Lattice-Matched GaInNAs on GaAs(001) Substrates
    A.Hashimoto, T.Furuhata, T.Kitano, A.K.Nguyen, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth, 227/228, 532-535 2001年 査読有り
  • Two-Step Growth of C60 Films on H-terminated Si(111) Substrates
    H.Takashima, M.Nakaya, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth, 227/228, 825-828 2001年 査読有り
  • Solid C60 Growth on Hexagonal GaN(0001) Surface
    H.Takashima, M.Nakaya, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth, 227/228, 829-833 2001年 査読有り
  • Enhanced two-dimentional growth of MOVPE InN films on sapphire (0001) substrates
    A.Yamamoto, M.Adachi, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth, 230, 351-356 2001年 査読有り
  • Growth Temperature Dependence of MOVPE InN on Sapphire Substrate
    A.Yamamoto, Y.Murakami, K.Koide, M.Adachi, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (b), 228, 5-8 2001年 査読有り
  • Raman Characterization of MBE grown (Al)GaAsN
    A.Hashimoto, T.Kitano, K.Takahashi, H.Kawanishi, A.Patane, C.T.Foxon, A.Yamamoto
    Physica Status Solidi (b), 228, 283-286 2001年 査読有り
  • Suppression of Hexagonal GaN in Cubic GaN Growth by In Surfactant Effect Combing with the Precise Control of V/III Ratio
    A.Hashimoto, H.Mori, Y.Nishio, T.Li, C.T.Foxon, A.Yamamoto
    Physica Status Solidi (a), 188, 691-694 2001年 査読有り
  • 有機金属原料およびⅤ族水素化物原料の光化学反応過程に関する基礎的検討
    山本 暠勇, 中川 英之, 橋本 明弘
    福井大学地域共同研究センター年報 9, 26  2001年 査読無し
  • MOCVD Growth of High Quality InN Films and Raman Characterization of Residual Stress Effects
    E.Kurimoto, H.Harima, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Physica Status Solidi (b), 228, 1-4 2001年 査読有り
  • A Novel Two-step Method for Improvement of MOVPE Grown InN Film on GaP(111)B Substrate
    A.G.Bhuiyan, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (b), 228, 27-30 2001年 査読有り
  • Non-monotonous Behavior in In-doped GaN Grown by MOVPE with Nitrogen Carrier Gas
    A.Yamamoto, T.Tanikawa, K.Ikuta, M.Adachi, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (b), 228, 239-242 2001年 査読有り
  • Analytically Approximated Solution of the Transmission Properties on the Photonic Crystal Waveguides
    M.Ohtaka, A.Miyagiwa, A.Hashimoto, K.Wakabayashi
    Pro.OFSET 2000,pp297-300 2000年11月
  • Analytically Apporoximated Solution of the Transmission Properties on Mesoscopic Scaled Optical Waveguides
    M.Ohtaka, A.Miyagiwa, A.Hashimoto, K.Wakabayashi
    PIERS 2000, p.406 2000年07月
  • Simple Analytical Approach to Study theTransmission Properties On Photonic Bandgap Microcavities in Optical Waveguides
    M.Ohtaka, A.Miyagiwa, A.Hashimoto, K.Wakabayashi
    M.OHTAKA, A.MIYAGAWA, A.HASHIMOTO, K.WAKABAYASHI PECS, W4-15,  2000年03月
  • Growth Rate and its Determining Process for Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InN
    M.Adachi, Y.Murakami, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan,(IPAP Conf. Series 1)pp.339-342 2000年
  • Raman Scattering Characterization of Annealed GaNAs Layers
    T.Furuhata, T.Kitano, H.Magara, A.Masuda, A.Yamamoto, A.Hashimoto, S.Tanaka, M.Takahashi, A.Moto, T.Tanabe, S.Takagishi
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan,(IPAP Conf. Series 1)pp.673-676 2000年
  • An Indium Surfactant Effect in Cubic GaN RF-MBE Growth
    Y.Nishio, H.Mori, A.Masuda, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan,(IPAP Conf. Series 1)pp.178-181 2000年
  • Marked Substrate-Surface Dependence of In Content Included in High-Temperature Grown InN
    M.Adachi, A.Seki, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan,(IPAP Conf. Series 1)pp.347-350 2000年
  • Tree-Like Features Formed on Photoelectrochemically Etched n-GaN Surfaces: Revelation of Threading Dislocations in GaN
    A.Yamamoto, K.Azuma, T.Yasuda, A.Hashimoto
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan, (IPAP Conf. Series 1) pp.778-781 2000年
  • Significance of the Suppression of Substrate Surface Nitridation for Epitaxial Growth of Wurtzite InN on GaP(111) and InP(111) Substrates
    A.G.Bhuiyan, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan,(IPAP Conf. Series 1)pp.343-346 2000年
  • PBG構造を用いた多層構造の電磁波透過特性のFDTD解析
    若林 一樹, 宮川 純, 橘 正純, 山登 猛, 大高 眞人, 橋本 明弘
    電気学会研究会資料電磁界理論研究会, EMT-00-48, 13-16 2000年 査読無し
  • Nitridation effects of GaP(111)B substrates on MOCVD growth of InN
    A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto, R.Ishigami
    Journal of Crystal Growth, 212, 379-384, 2000年 査読有り
  • Evidences for the Existence of a High-Carrier-Density Layer near Nondoped-GaN/α-Al2O3 Substrate Interface
    A.Yamamoto, K.Ueno, K.Azuma, Y.Tsuji, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (a) 176, 689-692, 1999年 査読有り
  • MOVPE Growth of In-rich InGaN Films on a-Al2O3 (0001)
    A.Yamamoto, N.Nakagawa, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (a),176, 237-241 1999年 査読有り
  • メソスコピック光導波路の伝送特性の解析的近似解
    大高 眞人, 宮川 純, 若林 一樹, 野田 祐厚, 橋本 明弘
    電気学会研究会資料電磁界理論研究会, EMT-99-102, 87-92 1999年 査読無し
  • A Comparative Study of MOVPE Growth of InN on GaAs (111) Substrates using a Nitrided or Grown GaN Buffer Layer
    A.Yamamoto, M.Adachi, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Physica Status Solidi (a), 176, 595-598, 1999年 査読有り
  • ジメチルヒドラジン(DMHy)を用いたGaAs基板の窒化処理
    望月 孝則, 胡桃 洋一, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    福井大学工学部研究報告 47, 1, 131-141 1999年 査読無し
  • Mixing Mechanism of h-GaN in c-GaN Growth on GaAs(001) Substrates
    A.Hashimoto, H.Wada, T.Ueda, A.Masuda, A.Yamamoto
    Physica Status Solidi (a), 176, 519-524, 1999年 査読有り
  • Anomalous Electrochemical Behavior of N-Type GaN Films on α-Al2O3 Substrates
    A.Yamamoto, Y.Tsuji, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 38, 2619-2621, 1999年 査読有り
  • Suppression of hexagonal GaN mixing by As4 molecular beam in cubic GaN growth on GaAs (001) substrates
    A.Hashimoto, T.Motizuki, H.Wada, A.Masuda, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth, 201/202, 392-395 1999年 査読有り
  • Material and structural parameter dependencies of photon recycling effects in conventional n+-p InP solar cell
    A.Yamamoto, M.Kurizuka, Md.M.Murshid, M.Ohkubo, A.Hashimoto
    Solar Energy Materials and Solar Cells 50(42008) 259 1998年 査読有り
  • Nitridation of InGaAs by dimethyl-hydrazine (DMHy)
    A.Hashimoto, Y.Aiba, Y.Kurumi, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth, 188, 75-80 1998年 査読有り
  • Nitridation of GaAs(111) by dimethyl-hydrazine (DMHy) with As4 molecular beam
    A.Hashimoto, T.Motizuki, Y.Kurumi, A.Yamamoto
    Journal of Crystal Growth, 189/190, 259-264 1998年 査読有り
  • Composition Control of Electrodeposited Cu-In-Se Layers for Thin Film CuInSe2 Preparation
    S.Nakamura, S.Sugawara, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Solar Energy Materials and Solar Cells, 50, 1-4, 25-30 1998年 査読有り
  • Nitridation of GaAs (100) Wafers for the Preparation of Zincblende-Structure Thick GaN Layers
    A.Yamamoto, T.Shin-ya, Y.Yamauchi, A.Hashimoto
    Materials Science Forum, 264-268, 1213-1216 1998年
  • メソスコピック光導波路の伝送特性の解析(8)
    大高 眞人, 宮川 純, 橘 正純, 山登 猛, 橋本 明弘
    電気学会研究会資料電磁界理論研究会, EMT-98-116, 75-79 1998年 査読無し
  • Formation of GaN Nano-Column Structure by Nitridation
    A.Hashimoto, T.Motizuki, H.Wada, A.Yamamoto
    Materials Science Forum, 264-268, 1129-1132 1998年
  • 陽極化成法を用いたIII-V族化合物半導体量子細線構造の作製とその評価
    愛場 喜孝, 大久保 貢, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    福井大学工学部研究報告 46, 1, 141-150 1998年 査読無し
  • Characterization of MOVPE-grown InN layers on α-Al2O3 and GaAs substrates
    A.Yamamoto, T.Shin-ya, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth, 189/190, 461-465 189/190 461-465 1998年 査読有り
  • Nitridation of InAs(100) surface in a flowing NH3: formation of InNAs?
    A.Yamamoto, T.Shin-ya, T.Sugiura, M.Ohkubo, A.Hashimoto
    Journal of Crystal Growth,189/190, 476-480 189/190 476-480 1998年 査読有り
  • Numerical Analysis on Phonon Localization of Vacancy Type Disordered Graphene
    Md. Sherajul Islam, Md. Tawabur Rahaman, Ashraful Ghani Bhuiyan and Akihiro Hashimoto
    Journal of Circuits, Systems, and Computers 24(1540002) 1-16 2015年02月 査読有り
  • 持続可能社会への新たな道程:福井大学電気エネルギー研究室
    橋本 明弘
    電気設備学会誌 35(11) 773-774 2015年

著書

  • Advanced Materials in Electronics 2004
    A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    執筆、編集
    Growth and properties of LA-MOVPE InN
    Research Signpost 2004年03月
  • 高効率太陽電池の開発と応用
    橋本 明弘
    執筆、編集
    III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長
    シーエムシー出版 2009年11月
    9784781301501C3054
  • Handbook of Nanophysics
    橋本 明弘
    執筆、編集
    C60 Field Effect Transistors
    Taylor & Francis Group 2010年01月

講演・口頭発表等

  • Comparative Study of Initial Growth Stage of InN on Epitaxial Graphene by MBE and MOVPE
    D. Ishimaru, Y. Tomatsu, A. Hashimoto
    The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016) 2016年09月 選考有り MBE 2016
    Comparative Study of Initial Growth Stage of InN on Epitaxial Graphene by MBE and MOVPE
  • 4H-SiC上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程
    石丸 大樹、戸松 侑輝、橋本 明弘
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    4H-SiC上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程
  • 塩酸エッチングしたSiC上エピタキシャルグラフェンの表面解析
    栗本 逸清、橋本 明弘
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    塩酸エッチングしたSiC上エピタキシャルグラフェンの表面解析
  • RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
    和田 拓也、道幸 雄真、今井 宏友、橋本 明弘
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
  • 強制振動手法を用いたサブ2次元ナノカーボンのエッジフォノン解析
    大八木 晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本 明弘
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    強制振動手法を用いたサブ2次元ナノカーボンのエッジフォノン解析
  • 強制振動子法によるSub2次元グラフェン・ナノ構造の格子振動解析
    橋本明弘
    第8回九大グラフェン研究会 2016年01月 選考有り 九州大学グラフェン研究会
    強制振動子法によるSub2次元グラフェン・ナノ構造の格子振動解析
  • Numerical Study of Phonon Properties for Sub 2-dimensional Nano-carbon system by Force Vibrational Method
    大八木晋、Md. Sheraju Islam、南部卓也、橋本明弘
    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年08月 選考有り ICCGE-18
    Numerical Study of Phonon Properties for Sub 2-dimensional Nano-carbon system by Force Vibrational Method
  • RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上単一ドメインエピタキシャルグラフェンの欠陥密度制御
    道幸雄真、和田拓也、今井宏友、橋本明弘
    第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上単一ドメインエピタキシャルグラフェンの欠陥密度制御
  • 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長
    戸松侑輝、道幸雄真、石丸大樹、橋本明弘
    第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長
  • 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程
    戸松侑輝、道幸雄真、石丸大樹、橋本明弘
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程
  • 強制振動子法を用いたサブ2次元ナノカーボンの格子振動解析(II)
    大八木晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本明弘
    第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り
    強制振動子法を用いたサブ2次元ナノカーボンの格子振動解析
  • 強制振動子法を用いたサブ2次元ナノカーボンのフォノン解析
    大八木晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本明弘
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    強制振動子法を用いたサブ2次元ナノカーボンのフォノン解析
  • 強制振動子法による窒化物混晶の格子振動解析 (II)
    南部卓也、大八木晋、ムハマド・シラジュル・イスラム、橋本明弘
    第63回応用物理学会秋季学術講演会 2016年03月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    強制振動子法による窒化物混晶の格子振動解析 そのII
  • Numerical Study on Phonon Properties of Defective Silicene
    南部卓也、ムハンマド・シェラジュル・イスラム、田中悟、橋本明弘
    IUMRS-ICA 2014 2014年08月 選考有り IUMRS
    Numerical Study on Phonon Properties of Defective Silicene
  • Vibrational Properties of Graphane Nanoribbons with Realistic Edge Structure
    Md. Sherajul Islam, Takayuki Makino, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
    IUMRS-ICA 2014 2014年08月 選考有り IUMRS
    Vibrational Properties of Graphane Nanoribbons with Realistic Edge Structure
  • Vacancy Induced Phonon Properties Of Hydrogen Passivated Graphene
    Md. Sherajul Islam, Md. Tawabur Rahman, A. G. Bhuiyan, Akihiro Hashimoto
    IEEE 1st International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT 2014) 2014年02月 選考有り IEEE
    Vacancy Induced Phonon Properties Of Hydrogen Passivated Graphene
  • 強制振動手法による窒化物混晶の格子振動解析
    南部 卓也、大八木 晋、Md. Sherajul Islam、橋本 明弘
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    強制振動手法による窒化物混晶の格子振動解析
  • PFPA-NHSを用いたエピタキシャルグラフェン/ポリアニリン構造ナノコンポジットの作製
    今井 宏友、橋本 明弘
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    PFPA-NHSを用いたエピタキシャルグラフェン/ポリアニリン構造ナノコンポジットの作製
  • PF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上大面積単一ドメインエピタキシャルグラフェンの形成
    道幸 雄真、今井 宏友、橋本 明弘
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り 公益社団法人 応用物理学会
    PF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上大面積単一ドメインエピタキシャルグラフェンの形成
  • 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ~基板表面の窒化処理効果~
    澤崎 尚樹, 小林 隆弘, 趙 明秀, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年11月 選考無し
  • InGaN系多接合タンデム太陽電池の研究
    三輪 浩士, 宮西 正芳, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    豊田工業大学「超高効率光起電力変換共同研究推進センター」 第3回シンポジウム 2005年11月 選考無し
  • MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果
    永井 泰彦, 三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年11月 選考無し
  • Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN substrate
    W.J.Wang, H.Miwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年11月 選考無し
  • ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果
    宮西 正芳, 高橋 尚也, 小林 隆弘, 高山 勝己, 南保 幸男, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年11月 選考無し
  • 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長
    趙 明秀, 小林 隆弘, 澤崎 尚樹, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年11月 選考無し
  • MOMBE-InN薄膜成長中のGaビーム照射による酸素混入抑制
    諌本 和樹, 山田 吉倫, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    第66回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年09月 選考無し
  • Si(111)基板上への高品質InN膜のMOVPE成長
    趙 明秀, 小林 隆弘, 澤崎 尚樹, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    第66回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年09月 選考無し
  • MOVPE法によるGa、N極性GaN基板上へのInN成長
    王 文軍, 三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第66回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年09月 選考無し
  • Nanoscale photoluminescence mapping for MOVPE InN films using scanning near-field optical microscopy (SNOM)
    H.Miwa, X.D.Gong, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    JAIST International Symposium on Nano Technology 2005 2005年09月 選考無し
  • InN系多接合タンデム太陽電池
    山本 暠勇, 三輪 浩士, 宮西 正芳, 橋本 明弘
    第2回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集 2005年09月 選考無し
  • Growth of N-polarity InN by ArF-laser assisted MOVPE
    A.Yamamoto, K.Kasashima, M.Miyanishi, A.Hashimoto
    European Materials Research Society 2005 FALL MEETING 2005年09月
  • Inhomogeneities in MOVPE InN
    A.Yamamoto, H.Miwa, W.J.Wang, A.Hashimoto
    招待講演 European Materials Research Society 2005 FALL MEETING 2005年09月
  • C+イオン注入による3c-SiC/Si構造基板上へのGaNのMOVPE成長における基板窒化処理効果
    澤崎 尚樹, 小林 隆弘, 趙 明秀, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    第66回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年09月
  • GSMBEによるDMHyを用いたInN薄膜成長
    安田 正志, 諌本 和樹, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    第66回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年09月
  • Scanning near-field optical microscopy (SNOM) analysis of MOVPE InN
    H.Miwa, Y.Nagai, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    European Materials Research Society 2005 FALL MEETING 2005年09月
  • A comparative study on MOVPE InN films grow on 3c-SiC/Si(111) and sapphire substrates
    T.Kobayashi, M.S.Cho, N.Sawazaki, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Ito
    European Materials Research Society 2005 FALL MEETING 2005年09月
  • A comparative study on MOVPE InN growth on Ga and N-polarity bulk GaN
    W.J.Wang, H.Miwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • NH3/TMI ratio dependence of electrical and optical properties for atmospheric-pressure MOVPE InN
    A.Yamamoto, H.Miwa, Y.Shibata, A.Hashimoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • Deterioration of MOVPE InN films on sapphire during growth and post-growth annealing
    H.Miwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • Reduced residual stress in GaN grown on 3c-SiC/Si(111) templates formed by C+-ion implantation
    T.Kobayashi, N.Sawazaki, M.S.Cho, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • Photocatalytic activity of InNOx films grown by laser –assisted MOCVD at low temperature (~200℃)
    A.Yamamoto, M.Miyanishi, N.Takahashi, T.Kobayashi, K.Takayama, Y.Nanbo, A.Hashimoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • Growth of InN layers using DMHy by GSMBE
    M.Yasuda, Y.Uesaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • KOH etching effects of a GaN buffer in MOVPE growth of InN on sapphire
    Y.Nagai, H.Miwa, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • A control technique of oxygen contamination by Ga beam irradiation in InN MOMBE growth
    K.Isamoto, Y.Uesaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    6th International Conference on Nitride Semiconductors 2005年08月
  • Metalorganic vapor phase epitaxial (MOVPE) growth of InN
    A.Yamamoto, H.Miwa, A.Hashimoto
    招待講演 INTERNATIONAL CONFERENCE ON METALLURGICAL COATINGS AND THIN FILMS 2005 2005年05月
  • 常圧MOVPE成長InN膜の電気的特性のⅤ/Ⅲ比依存性
    三輪 浩士, 柴田 陽介, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年03月
  • MOVPE法InN成長におけるGaNバッファ層KOHエッチング効果
    永井 泰彦, 三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年03月
  • 波長の異なる励起光を用いたPL測定によるMOVPE成長InN膜の評価
    三輪 浩士, 柴田 陽介, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年03月
  • C+イオン注入による3c-SiC/Si構造基板上GaN膜中の残留応力:基板作製条件依存性
    小林 隆弘, 澤崎 尚樹, 趙 明秀, 笹瀬 雅人, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1 2005年03月
  • 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMI供給モル比依存性
    三輪 浩士, 永井 泰彦, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年01月 選考無し
  • CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果
    永井 泰彦, 三輪 浩士, 丹羽 弘和, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電子情報通信学会技術研究報告 2005年01月 選考無し
  • A discrepancy between absorption edge and PL peak energy for MOVPE InN: A measure of inhomogeneity
    A.Yamamoto, H.Miwa, A.Hashimoto
    招待講演 AFOSR Indium Nitride Workshop 2 2005年01月
  • 3c-SiC/Si構造基板上GaN膜のフォトルミネッセンス
    趙 明秀, 小林 隆弘, 澤崎 尚樹, 笹瀬 雅人, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2004年12月
  • la-MOVPE法InN薄膜成長におけるIn金属析出の検討
    笠島 健, 宮西 正芳, 山本 浦瑠那, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2004年12月
  • InNのMOVPE成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果
    永井 泰彦, 三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2004年12月
  • MOVPE成長InN膜の熱処理効果
    三輪 浩士, 柴田 陽介, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2004年12月
  • III-V-N系におけるHall電子移動度とN原子の空間的配位との関係
    山口 知幸, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会講演予稿集 2004年12月
  • AlN絶縁膜を用いたC60FET構造の作製とその特性
    野尻 裕士, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会講演予稿集 2004年12月
  • RF-MBE法InN成長時のGa照射による酸素混入抑止効果
    上坂 維志篤, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会講演予稿集 2004年12月
  • (In)GaAsN混晶有効質量測定のためのECR測定装置に関する見積もり
    諌本 和樹, 山田 吉倫, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    平成16年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会講演予稿集 2004年12月
  • InGaN系タンデム太陽電池の研究
    山本 暠勇, 宮西 正芳, 橋本 明弘
    招待講演, 豊田工業大学学術フロンティア推進拠点 超高効率光起電力変換共同研究推進センター・第2回シンポジウム予稿集 2004年11月
  • Si(111)へのC+イオン注入によるc-SiC/Si(111)構造基板上へのGaN,InNのヘテロエピ成長
    小林 隆弘, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    信学技報 2004年11月
  • MOVPE成長InN膜のNH3雰囲気中熱処理効果
    三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1 2004年09月
  • 高アンモニア分解率環境下でのInNのMOVPE成長挙動
    笠島 健, 杉田 憲一, 黒田 智代, 安田 正志, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1 2004年09月
  • InGaN, InAlN多接合タンデム太陽電池の理論変換効率と格子不整合率
    宮西 正芳, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1 2004年09月
  • III-V-N系におけるN原子誘起散乱因子の定量化
    山口 知幸, 諌本 和樹, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年09月
  • A new structure of C60/AlN high performance field effect transistor
    H.Nojiri, D.Yokoyama, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    Diamond 2004 2004年09月
  • A possibility on In-N fragments incorporation in InGaAsN MBE growth
    T.Yamaguchi, M.Uchida, K.Isammoto, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2004 2004年08月
  • Hall electron mobility versus N spatial distribution in III-V-N systems
    A.Hashimoto, T.Yamaguchi, T.Suzuki, A.Yamamoto
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2004 2004年08月
  • Band gap widening of MBE grown InN layers by impurity incorporation
    Y.Uesaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2004 2004年08月
  • Role of a GaN, InN and InN/GaN Double Buffer in the MOVPE Growth of InN
    A.Yamamoto, K.Sugita, H.Takatsuka, Y.Hamano, N.Imai, A.Hashimoto
    PROGRAM & ABSTRACT BOOK of 2004 International Workshop on Nitride Semiconductors 2004年07月
  • MOVPE of InN on a 3c-SiC/Si(111) template formed by C+-ion implantation into Si(111)
    A.Yamamoto, T.Kobayashi, T.Yamauchi, M.Sasase, A.Hashimoto, Y.Ito
    PROGRAM & ABSTRACT BOOK of 2004 International Workshop on Nitride Semiconductors 2004年07月
  • Growth Behavior of MOVPE InN under High NH3 Decomposition Rate Conditions
    A.Yamamoto, K.Kasashima, K.Sugita, C.Kuroda, M.Yasuda, A.Hashimoto
    PROGRAM & ABSTRACT BOOK of 2004 International Workshop on Nitride Semiconductors 2004年07月
  • Instability Study of MOVPE InN during Heterostructure Formation Process
    A.Yamamoto, H.Miwa, Y.Hamano, A.Hashimoto
    PROGRAM & ABSTRACT BOOK of 2004 International Workshop on Nitride Semiconductors 2004年07月
  • 常圧MOVPE成長InN膜の電気的・光学的特性におけるGaNバッファ層導入効果
    高塚 浩史, 杉田 憲一, 今井 直亮, 浜野 祐介, 三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年03月
  • MOVPE成長InN膜の熱的安定性に関する検討(Ⅰ):アンモニア気流中での熱処理効果
    三輪 浩士, 浜野 祐介, 杉田 憲一, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年03月
  • AlNを絶縁膜に用いたC60電界効果ドーピング
    横山 大作, 野尻 裕士, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年03月
  • III-V-N系におけるHall電子移動度の温度依存性
    鈴木 隆志, 山口 知幸, 山本 暠勇, 橋本 明弘
    第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年03月
  • Cイオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)基板上へのInNのMOVPE成長
    小林 隆弘, 山内 智教, 笹瀬 雅人, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年03月
  • Fabrication and Characterization of C60FET using AlN insulator film
    A.Hashimoto, H.Nojiri, D.Yokoyama, A.Yamamoto
    6th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface 2004年01月
  • InNのMOVPE成長
    山本 暠勇, 杉田 憲一, 浜野 裕介, 笠島 健, A.G.Bhuiyan, 高塚 浩史, 橋本 明弘
    招待講演 日本学術振興会第125および第162委員会合同研究会資料 2003年12月
  • Optical properties of InN grown on GaP(111)B
    A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • Actual band gap energy of indium nitride(InN)
    A.G.Bhuiyan, K.Sugita, K.Kasashima, A.Hashimoto, A.Yamamoto, V.Y.Davydov
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • LA-MOVPE成長InN膜におけるNH3供給量増大効果
    笠島 健, 杉田 憲一, 黒田 智代, 黒田 智代, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • Evaluation of crystalline quality of GaN epilayer grown on Si(111) in H2 and N2 ambient
    B.K.Ghosh, T.Yamauchi, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • 3C-SiC/Si(111)基板上MOVPE成長GaN膜の成長速度
    山内 智教, 小林 隆弘, 笹瀬 雅人, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • ヘキサキスジエチルアルドインジウムを用いたInGaAsN成長
    山口 知幸, 内田 真幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • Ⅲ-Ⅴ-N系におけるホール電子移動度とN配位状態の関係
    鈴木 隆志, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • SiO2絶縁膜を用いたC60FET構造の作製とその特性
    野尻 裕士, 横山 大作, 鈴木 健志, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • 固相C60FETの絶縁膜用AlNの成長
    横山 大作, 野尻 裕士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • RF-MBE法によるInN成長時の酸素混入
    上坂 維志篤, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集 2003年12月
  • Epitaxial Growth of InN by the Conventional and ArF Excimer Laser-Assisted MOVPE
    A.Yamamoto, K.Sugita, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto
    招待講演 International Indium Nitride Workshop 2003年11月
  • ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの低温薄膜成長
    笠島 健, 杉田 憲一, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 南保 幸男
    電子情報通信学会技術研究報告 CPM2003-151 2003年11月
  • MOVPE成長InNのフォトルミネッセンス
    浜野 裕介, 高塚 浩史, 杉田 憲一, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電子情報通信学会技術研究報告CPM2003-152 2003年11月
  • Si(111)基板へのCイオン注入による3C-SiC/Si(111)上へのGaN、InN膜のMOVPE成長
    山内 智教, 小林 隆弘, B.K.Ghosh, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 笹瀬 雅人, 伊藤 慶文
    平成15年度電気関係学会北陸支部連合大会予稿集 2003年09月
  • MOVPE成長InN膜おける電気的特性と光学的特性との相関
    杉田 憲一, 高塚 浩史, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度電気関係学会北陸支部連合大会予稿集 2003年09月
  • サファイア基板上LA-MOVPE成長InN膜の極性の基板窒化条件依存
    杉田 憲一, 安田 正志, 黒田 智代, 笠島 健, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成15年度電気関係学会北陸支部連合大会予稿集 2003年09月
  • サファイア基板上へのInNのMOVPE成長におけるGaNバッファ層の導入効果
    今井 直亮, 杉田 憲一, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第64回応用物理学会学術講演会予稿集No.1 2003年08月
  • 常圧MOVPE成長InN膜のフォトルミネッセンススペクトルの測定温度依存性
    杉田 憲一, 高塚 浩史, Bhuiyan A.G., 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第64回応用物理学会学術講演会予稿集No.1 2003年08月
  • Si(111)基板へのCイオン注入により作成した3c-SiC/Si(111)上へのGaN膜のMOVPE成長
    山内 智教, Ghosh B.K., 笹瀬 雅人, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    第64回応用物理学会学術講演会予稿集No.1 2003年08月
  • InGaAsN成長膜における電気的特性のN組成依存性
    鈴木 隆志, 山口 知幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第64回応用物理学会学術講演会予稿集No.1 2003年08月
  • MOVPE Growth of Single-crystalline GaN on a 3C-SiC/Si(111)Structure Formed by C-ion Implantation into Si(111) Substrate
    A.Yamamoto, T.Yamauchi, T.Tanikawa, M.Sasase, B.K.Ghosh, A.Hashimoto, Y.Ito
    Abstract Book of the 11th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy 2003年07月
  • Correlations Between Electrical and Optical Properies for MOVPE-grown InN
    K.Sugita, H.Takatsuka, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Abstract Book of the 11th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy 2003年07月
  • Employment of a GaN buffer in the MOVPE Growth of InN on Sapphire Substrates
    A.Yamamoto, N.Imai, K.Sugita, A.Hashimoto
    Abstract BooK of the 11th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy 2003年07月
  • Solid C60 layer grown on AlN(0001) surface for C60 FET structure by MBE
    D.Yokoyama, H.Nojiri, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2eV
    A.Yamamoto, T.Tanaka, A.G.Bhuiyan, K.Sugita, K.Kasashima, Y.Kimura, A.Hashimoto, V.Yu.Davydov
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Formation of “Air-gap” structure of GaN films by using an InN interlayer
    T.Tanikawa, Y.Hamano, B.K.Ghosh, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • A comparative study on In-doping effects in MOVPE growth of GaN on Si(111) and sapphire substrates
    T.Tanikawa, Y.Hamano, B.K.Ghosh, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Photoluminescence and optical edge for MOVPE-grown InN
    K.Sugita, H.Takatsuka, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Laser-assisted MOVPE:A highly potential technique for the epitaxial groeth InN
    A.G.Bhuiyan, T.Tanaka, K.Kasashima, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Improvement of optical properties of GaN epilayer on Si(111):Impact on GaAs layer thickness on Si and pre-growth strategy
    B.K.Ghosh, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Control of photoelectrochemically-etched surface features for n-type GaN
    K.Ikuta, S.Nazri, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • Preferentially In-N bond formation in InGaAsN layers
    M.Uchida, A.Masuda, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, Japan 2003年05月
  • Electrical properties of MBE InGaAsN grown layer
    T.Suzuki, T.Yamaguti, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    Technical Digest of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors 2003年05月
  • GaN膜成長におけるInN中間層を用いたAir-gap構造の形成
    浜野 裕介, 谷川 透, B.K.Ghosh, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第50回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1 2003年03月
  • AlN(001)表面上のC60薄膜の成長
    横山 大作, 野尻 裕士, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第50回応用物理学関係連合講演会予稿集No.3 2003年03月
  • InGaAsN成長膜にの電気的特性
    鈴木 隆志, 山口 知幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第50回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1 2003年03月
  • MOCVD法によるInNの成長とInN膜の酸化処理による光学的特性への影響
    山本 暠勇, 田中 達也, 杉田 憲一, 木村 泰隆, 橋本 明弘
    招待講演, 第50回応用物理学関係連合講演会予稿集No.0, p.2 2003年03月
  • 常圧MOVPE成長InN膜のフォトルミネッセンス及び光吸収端
    杉田 憲一, 高塚 浩史, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第50回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1, p.395  2003年03月
  • レーザ水平照射ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInN膜成長
    笠島 健, 田中 達也, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第50回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1 2003年03月
  • MOVPE成長InN薄膜のフォトルミネッセンス評価
    高塚 浩史, 杉田 憲一, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集1A-8,10  2002年12月
  • ArFエキシマレーザー援用MOVPE法によるInN薄膜成長―レーザ照射方向の検討―
    笠島 健, 田中 達也, A.G.Bhuiyan, 山内 智教, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集1A-10,12  2002年12月
  • MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるInNバッファ層の効果
    今井 直亮, 田中 達也, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集1A-9,11 2002年12月
  • GaN薄膜のArFエキシマレーザ援用MOVPE成長
    山内 智教, 田中 達也, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集1A-6,8  2002年12月
  • サファイア基板上GaN膜成長におけるInN中間層の挿入効果
    浜野 裕介, 谷川 透, B.K.Ghosh, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集1A-7,9 2002年12月
  • 解析的近似解法によるフォトニック結晶を用いた光導波路の検討
    見崎 誠, 若林 一樹, 大高 眞人, 橋本 明弘
    平成14年度電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集,C?27,p-163 2002年09月
  • RF-MBE法AlGaAsNのAl-Nに起因するフォノンモードの評価
    山本 兼司, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集No. 1, 24p-YD-1 2002年09月
  • 多孔性GaN中間層を用いたSi(111)上GaN膜のエピタキシャル成長
    B.K.Ghosh, 谷川 透, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集No. 1, 25a-YH-5 2002年09月
  • Si(111)基板上直接成長GaN膜におけるInドーピング効果
    谷川 透,, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集No. 1, 25a-YH-6 2002年09月
  • InN膜の酸化処理による光学特性への影響
    木村 泰隆, 横山 大作, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集No. 1, 26p-YH-1  2002年09月
  • ArFエキシマレーザ援用MOVPE法によるInNの薄膜成長
    田中 達也, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集No. 1, 26a-YH-10 2002年09月
  • 常圧MOVPE成長InN膜の電気的特性におけるNH3流量依存性
    杉田 憲一, 田中 達也, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集No1. 26a-YH-9 2002年09月
  • Fabrication of C60 nanowires on Si(111) : An STM/STS study
    M.Nakaya, T.Nakayama, A.Hashimoto, A.Yamamoto, M.Aono
    11th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces (11-ICSFS), Marseille, France 2002年07月
  • Single domain ordering of C60 thin films on GaAs(111)B-2×2
    M.Nakaya, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    11th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces (11-ICSFS), Marseille, France 2002年07月
  • Improvement of electrical properties of MOVPE InN by NH3 decomposition enhancement
    A.Yamamoto, K.Koide, T.Tanaka, A.Hashimoto
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), Aachen Germany, 170-P-218 2002年07月
  • Band Gap of Hexagonal InN and InGaN Alloys
    V.Yu.Davydov, A.A.Klochikhin, V.V.Emtsev, D.A.Kurdyukov, S.V.Ivanov, V.A.Vekshin, F.Bechstedt, J.Furthmulie, J.Aderhold, J.Graul,, A.V.Mudryi, H.Harima, A.Hashimoto, A.Yamamoto, E.E.Haller
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), Aachen Germany, 089-A11-I17 2002年07月
  • Optical Properties of RF-MBE Grown AlGaAsN
    K.Yamamoto, M.Uchida, A.Yamamoto, A.Masuda, A.Hashimoto
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), Aachen Germany, 371-P-289 2002年07月
  • Influence of Growth Condition on Superconducting Characteristics of InN on Sapphire (0001)
    T.Inushima, T.Takenobu, M.Motokawa, K.Koide, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Saito, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), Aachen Germany, 167-P-157 2002年07月
  • Boiling KOH etching behavior of GaN buffer on sapphire substrate ? Effects of substrate-surface nitridation and carrier gas
    A.Yamamoto, Y.Murakami, K.Ikuta, T.Yamauchi, A.Hashimoto, Y.Ito
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), Aachen Germany, 140-P-220  2002年07月
  • Laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy (LMOVPE) of Indium Nitride (InN)
    A.G.Bhuiyan, T.Tanaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), Aachen Germany, 165-P-071 2002年07月
  • Latest Progress in the MOVPE growth of Indium nitride (InN) film
    A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    信学技報, ED2002-67, LQE2002-42, p.93 2002年06月
  • Growth of Hexagonal GaN on Si(111) by Using a porous GaN Interlayer
    B.K.Ghosh, T.Tanikawa, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Ito
    信学技報,ED2002-51, LQE2002-26, 2002年06月
  • ラマン分光法によるAlGaAsN薄膜の評価
    山本 兼司, 内田 真幸, 北野 武司, グエン・アン・キェット, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第49回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1, 28p-ZQ-5  2002年03月
  • RF-MBE法によるc-GaN成長におけるGaN層表面平坦化がh-GaN混入率に及ぼす影響
    森 弘樹, 木村 泰隆, 横山 大作, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第49回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1, 30a-ZM-17 2002年03月
  • 常圧MOVPE成長InN膜の電気的特性の改善
    小出 国宏, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第49回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1, 27a-ZM-27  2002年03月
  • 高ガス流速反応管を用いたInNのMOVPE成長
    田中 達也, A.G.Bhuiyan, 杉田 憲一, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第49回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1, 27a-ZM-28  2002年03月
  • サファイア基板上MOVPE GaNバッファ層、エピ層のKOHエッチング挙動
    村上 康行, 山内 智教, 生田 公仁, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第49回応用物理学関係連合講演会予稿集No.1, 27a-ZM-16 2002年03月
  • InN薄膜のエピタキシャル成長
    山本 暠勇, 橋本 明弘
    福井県地域結集型共同研究事業第1回成果発表会予稿集 p.35  2001年11月
  • ナイトライド系III-V族太陽電池素子の現状と今後の展開
    橋本 明弘, 山本 暠勇
    第9回「高効率太陽電池および太陽光発電システム」(招待講演)ワークショップ予稿集, 116 2001年11月
  • 解析的近似解法によるフォトニック結晶導波路の規範解の導出
    大高 眞人, 岩永 明紘, 福田 晃久, 見崎 誠, 橋本 明弘
    電子情報通信学会2001年エレクトロニクスソサエティ大会講演論文集1, C-3-18 2001年09月
  • 赤外分光法によるGaAsN成長膜の評価
    北野 武司, A.K.Nguyen, 山本 兼司, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 13p-T-17, 241  2001年09月
  • MOVPE-InN膜の水素プラズマ処理効果
    田中 達也, 小出 国宏, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 11p-Q-10, 259  2001年09月
  • MOVPE-GaN膜の電気的・光学的特性におけるInサーファクタント効果
    谷川 透, 生田 公仁, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 11p-Q-11, 259 2001年09月
  • ラマン分光法によるc-GaN薄膜及びGaN/GaAs(001)ヘテロ界面の評価
    森 弘樹, 木村 泰隆, 北野 武司, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 13a-R-2, 284 2001年09月
  • GaInAsN成長膜のラマン分光法による評価
    A.K.Nguyen, 北野 武司, 山本 兼司, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 13p-T-16, 241  2001年09月
  • Formation of Spontaneously Ordered Clusters in Ga(In)AsN Layers
    A.Hashimoto, T.Kitano, A.K.Nguyen, A.Masuda, A.Yamamoto, S.Tanaka, M.Takahashi, A.Moto, T.Tanabe, S.Takagishi
    招待講演, 20th Electronic Materials Symposium, Nara, K5, 55-56 2001年09月
  • Pyrite (FeS2) Thin Films Prepared by Spray Method Using FeSO4 and (NH4)2Sx
    A.Yamamoto, M.Nakamura, A.Seki, Z.L.Li, A.Hashimoto, S.Nakamura
    Technical Digest of the International PVSEC-12, Jeju, Korea, June 2001, pp.157. 2001年06月
  • Characterization of GaAsN Epitaxial Films by Raman Spectroscope
    T.Kitano, A.Hashimoto, A.K.Nguyen, K.Yamamoto, A.Masuda, A.Yamamoto
    Extended Abstracts of the 20th Electronic Materials Symposium, Nara, C7, 55-56 2001年06月
  • Formation of Spontaneously Ordered Clusters in Ga(In)AsN Layers
    A.Hashimoto, T.Kitano, A.K.Nguyen, A.Masuda, A.Yamamoto, S.Tanaka, M.Takahashi, A.Moto, T.Tanabe, S.Takagishi
    Extended Abstracts of the 20th Electronic Materials Symposium, Nara, K5, 231-232 2001年06月
  • Characterization of GaAsN Epitaxial Films by Raman Spectroscope
    T.Kitano, A.Hashimoto, A.K.Nguyen, K.Yamamoto, A.Masuda, A.Yamamoto
    20th Electronic Materials Symposium, Nara, C7, 55-56 2001年06月
  • ラマン分光法によるGaNAs薄膜の微細構造の評価
    北野 武司, A.K.Nguyen, 山本 兼司, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 31a-G-1, 359  2001年03月
  • FeSO4/small>,(NH4)2Sxを原料とするスプレー法によるpyrite(FeS2)薄膜の作製
    関 昭久, 中村 元則, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 中村 重之
    第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.3, 29p-YL-2, 1416 2001年03月
  • GaAs(111)As-2x2上へのC60薄膜成長
    中谷 真人, 猪岡 新, 高島 寛和, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.3, 29p-ZW-1, 1214 2001年03月
  • MOVPE-InNの高温(~650 ℃)成長におけるα-Al2O3基板の窒化処理
    村上 康行, 小出 国宏, 安達 正人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 30p-M-21,411 2001年03月
  • MOVPE成長GaN膜におけるα-Al2O3基板窒化処理効果
    生田 公仁, 泉 朋恵, 村上 康行, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集 D-20, 257 2001年01月
  • GaNのMOVPE成長におけるIn供給効果
    谷川 透, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集 D-19, 256 2001年01月
  • Formation of Spontaneously Ordered Clusters in Ga(In)AsN Layers
    A.Hashimoto, T.Kitano, A.K.Nguen, A.Masuda, A.Yamamoto, S.Tanaka, M.Takahashi, A.Moto, T.Tanabe, S.Takagishi
    招待講演, Int. Narrow Gap Nitride Workshop (INGNW-01), Singapore, pp.19 2001年01月
  • スプレー法により作製したpyrite(FeS2)薄膜の電気的特性
    関 昭久, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.3, 12p-ZV-9, 1083  2001年01月
  • GaAs(111)上へのC60薄膜成長
    中谷 真人, 猪岡 新, 藤田 知洋, 高島 寛和, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-2, p.119 2000年12月
  • ラマン分光法によるc-GaN/GaAs(001)ヘテロ界面の評価
    森 弘樹, 西尾 幸宏, 北野 武司, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-3, p.120  2000年12月
  • GaNのMOVPE成長におけるα-Al2O3基板の前処理効果
    村上 康行, 泉 朋恵, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-4, p.120 2000年12月
  • InドーピングGaNによる電気的特性の改善
    谷川 透, 生田 公仁, 東 克彦, 安達 正人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-6, p.121  2000年12月
  • ラマン分光法によるGaInNAs成長膜のIn含有率依存性の評価
    北野 武司, 古畑 隆, A.K.Nguyen, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-7, p.122 2000年12月
  • 解析的近似解法によるフォトニック結晶光導波路の伝送特性の解析
    宮川 純, 橘 正純, 山登 猛, 大高 眞人, 橋本 明弘, 若林 一樹
    平成12年度電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, C-33, p-175 2000年11月
  • フォトニック結晶導波路のFDTD法解析における誘電体境界の取り扱い
    宮川 純, 橘 正純, 山登 猛, 大高 眞人, 橋本 明弘, 若林 一樹
    電子情報通信学会2000年エレクトロニクスソサエティ大会講演論文集1,C-1-24, p24 2000年09月
  • Parameters for the Growth of Single-Phase In-Rich InxGa1-xN (x > 0.5) in MOVPE
    Y.Nakagawa, K.Koide, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), Nagoya, Japan, PMD-15 165 2000年09月
  • ラマン分光法によるGaInNAs成長膜の評価
    A.K.Nguyen, 古畑 隆, 北野 武司, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 5p-ZA-4, p.272 2000年09月
  • 六方晶GaN(0001)上へのC60薄膜成長
    中谷 真人, 高島 寛和, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 3a-Y-12, p.280 2000年09月
  • High temperature growth of InN on GaP(111) using a low temperature InN buffer layer
    A.G.Bhuiyan, Y.Murakami, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 3a-Y-17, p.282 2000年09月
  • InNのMOVPE成長における成長速度とその律速過程
    村上 康行, 安達 正人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 3a-Y-20, p.283 2000年09月
  • 光電気化学エッチングを用いたn型GaN膜の貫通転位検出
    東 克彦, 安田 智美, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 5p-Y-11, p.306  2000年09月
  • rf-MBE法による立方晶GaN成長におけるIn分子線照射効果(II)
    西尾 幸宏, 森 弘樹, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 4a-Y-24, p.295 2000年09月
  • サファイア基板上InNの常圧MOVPE成長
    小出 国宏, 安達 正人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.1, 3a-Y-18, p.282  2000年09月
  • RF-MBE Growth and Raman Scattering Characterization of Lattice-Matched GaInNAs on GaAs(001) Substrates
    A.Hashimoto, T.Furuhata, T.Kitano, A.K.Nguyen, A.Yamamoto
    11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, Mo3.2, 67-68 2000年08月
  • Solid C60 Growth on Hexagonal GaN(0001) Surface
    H.Takashima, M.Nakaya, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, Th5.4, 321-322 2000年08月
  • Two-Step Growth of C60 Films on H-terminated Si(111) Substrates
    H.Takashima, M.Nakaya, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, Th5.3, 319-320 2000年08月
  • 超高効率太陽電池用GaInNAsのエピタキシャル成長と評価
    橋本 明弘, 古畑 隆, 北野 武司, A.K.Nguyen, 山本 暠勇, 田中 聡, 本 昭浩, 高橋 光男, 田辺 達也, 高岸 典成, 増田 淳, 真柄 宏之
    第8回「高効率太陽電池および太陽光発電システム」ワークショップ予稿集,p.127  2000年07月
  • Enhanced two-dimensional growth of MOVPE InN films on sapphire (0001) substrates
    A.Yamamoto, M.Adachi, A.Hashimoto
    4th European GaN Workshop (EGW-4), PO-3, Nottingham, UK,  2000年07月
  • 解析的近似解法によるフォトニック結晶光導波路を用いた伝送特性の解析
    大高 眞人, 橋本 明弘, 宮川 淳
    電子情報通信学会2000年総合大会講演論文集エレクトロニクス1,SC-1-6,p.390,  2000年03月
  • ラマン分光法によるGaNAs膜の評価
    古畑 隆, 北野 武司, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 田辺 達也, 高岸 典成, 田中 聡, 本 昭浩, 高橋 光男
    第47回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集No.1, 30a-YN-1, p.366 2000年03月
  • RF-MBE法による立方晶GaN成長におけるIn分子線照射効果
    西尾 幸宏, 森 弘樹, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第47回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集No.1, 31a-YN-7, p.388 2000年03月
  • MOVPE法によるα-Al2O3基板上へのInxGa1-xN(x?0.5)の成長
    中川 佳則, 小出 国宏, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第47回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集No.1, 29p-YQ-1, p.361 2000年03月
  • 高温(~600℃)成長InN膜中のIn析出量の下地依存性
    安達 正人, 関 昭久, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第47回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集No.1, 29p-YQ-2, p.361 2000年03月
  • 水素終端Si(111)基板上C60薄膜成長の制御
    高島 寛和, 中谷 真人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第47回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集No.3, 29a-X-6, p.1226 2000年03月
  • PBG構造を用いた多層構造の電磁波透過特性のFDTD解析
    宮川 純, 橘 正純, 山登 猛, 大高 眞人, 橋本 明弘, 若林 一樹
    電気学会電磁界理論研究会資料,EMT-00-48, pp.13-16 2000年01月
  • Fe、S同時電着法によるpyrite(FeS2)薄膜形成の検討
    関 昭久, 李 恩鈴, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 中村 重之
    電気関係学会北陸支部連合大会 講演論文集 D-7, p.218 2000年01月
  • Tow-step growth of epitaxial InN on GaP(111)B substrate using MOCVD
    A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    電気関係学会北陸支部連合大会 講演論文集 D-6, p.217  2000年01月
  • 高温成長InNにおけるIn析出量の下地依存性
    関 昭久, 安達 正人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-8, 111 1999年12月
  • MOVPE成長GaNにおける表面モフォロジのⅤ/Ⅲ比依存性
    秦 幸一郎, 東 克彦, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-9, 112 1999年12月
  • 立方晶GaN成長におけるIn照射効果
    西尾 幸宏, 森 弘樹, 山口 覚, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-16, 115 1999年12月
  • MOVPE法による高In組成InxGa1-xNの高温成長
    小出 国宏, 中川 佳則, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部 合同講演会講演予稿集, IX-7, 111 1999年12月
  • GaInNAs成長でのN組成のIn分子線強度依存性
    古畑 隆, 植田 武憲, 北野 武司, グエン・アン・キェット, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-17, 116  1999年12月
  • Si(111)上へのC60薄膜の成長初期過程
    高島 寛和, 中谷 真人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-15, 115  1999年12月
  • 光電気化学エッチングを施したn型GaN膜の表面モフォロジ
    安田 智美, 東 克彦, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-10, 112 1999年12月
  • メソスコピック光導波路の伝送特性の解析的近似解
    大高 眞人, 若林 一樹, 野田 祐厚, 橋本 明弘, 宮川 純
    電気学会研究会資料電磁界理論研究会, EMT-99-102, 87-92 1999年11月
  • 立方晶GaN成長における六方晶混在のGaビーム強度依存性
    西尾 幸宏, 和田 英紀, 上田 俊人, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 1a-V-6, 261 1999年09月
  • MOVPE成長InN膜の表面モフォロジ:反応管形状の効果
    安達 正人, 東 克彦, 中川 佳則, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 2a-W-4, 276 1999年09月
  • MOCVD Growth of InN on GaP(111)B Substrate
    A.G.Bhuiyan, M.Adachi, M.Ohkubo, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 2a-W-2, 275 1999年09月
  • MOVPE法によるα-Al2O3基板上InNの成長温度依存性
    安達 正人, 赤地 俊哉, 杉浦 敏充, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 2a-W-3, 276 1999年09月
  • A COMPARATIVE STUDY OF MOVPE GROWTH OF InN ON GaAs(111) SUBSTRATES USING A NITRIDED OR GROWN GaN BUFFER LAYER
    A.Yamamoto, T.Arita, M.Adachi, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Abst. of the Third International Conference on Nitride Semiconductors, Montpellier, France, 23-24 1999年07月
  • EVIDENCES FOR THE EXISTENCE OF A HIGH-CARRIER-DENSITY LAYER NEAR NONDOPED-GaN/α-Al2O3 SUBSTRATE INTERFACE
    A.Yamamoto, K.Ueno, K.Azuma, Y.Tsuji, A.Hashimoto
    Abst. of the Third International Conference on Nitride Semiconductors, Montpellier, France, 102-103 1999年07月
  • MOVPE GROWTH OF In-RICH InxGa1-xN (0.5 < x < 1) FILMS ON α-Al2O3(0001)
    A.Yamamoto, Y.Nakagawa, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Abst. of the Third International Conference on Nitride Semiconductors, Montpellier, France, 134-135 1999年07月
  • MIXING MECHANISM OF h-GaN IN c-GaN GROWTH ON GaAs(001) SUBSTRATES
    A.Hashimoto, H.Wada, T.Ueda, A.Masuda, A.Yamamoto
    Abst. of the Third International Conference on Nitride Semiconductors, Montpellier, France, 21-22 1999年07月
  • MOVPE法によるInxGa1-xN(0.5
    中川 佳則, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 28p-N-13, 396  1999年03月
  • MOVPE法によりα-Al2O3基板上に成長させたn型GaN膜のキャリア濃度
    東 克彦, 上野 和文, 辻 康幸, 杉浦 敏充, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 30p-N-6, 423 1999年03月
  • GaNバッファ層を用いたGaAs(111)B基板上へのInNのMOVPE成長
    安達 正人, 有田 隆之, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 28a-N-2, 388 1999年03月
  • RF-MBE法による立方晶GaN成長のAs4照射の効果
    和田 英紀, 胡桃 洋一, 上田 俊人, 西尾 幸宏, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 30a-M-6, 409  1999年03月
  • メソスコピック光導波路の伝送特性の解析(9)
    大高 眞人, 橋本 明弘, 宮川 淳
    平成10年度日本物理学会北陸支部,応用物理学会北陸・信越支部合同講演会公演予稿集,Ⅰ-12  1998年12月
  • RF-MBE法によるInN成長
    古畑 隆, 胡桃 洋一, 和田 英紀, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, VIII-12, 118 1998年12月
  • RF-MBE法によるGaAs(001)基板上の立方晶GaN成長
    西尾 幸宏, 胡桃 洋一, 和田 英紀, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, VIII-14, 119  1998年12月
  • MOVPE法によるGaAs(111)B基板上InN成長におけるバッファ層の効果
    有田 隆之, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, VIII-11, 118 1998年12月
  • As4分子線照射によるGaNの電気的特性
    上田 俊人, 胡桃 洋一, 和田 英紀, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, VIII-13, 119  1998年12月
  • 水溶液電着法によるパイライト(FeS2)薄膜の形成
    静野 亮, 中村 重之, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, III-25, 44 1998年12月
  • α-Al2O3基板上n型GaN膜のキャリア濃度測定
    上野 和文, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, VIII-10, 117 1998年12月
  • α-Al2O3上n型GaN膜の陽極溶解における電極電位-時間特性
    辻 康幸, 上野 和文, 杉浦 敏充, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, VIII-9, 117 1998年12月
  • メソスコピック光導波路の伝送特性の解析(8)
    大高 眞人, 橘 正純, 山登 猛, 橋本 明弘, 宮川 淳
    電学会電磁界理論研究会資,EMT-98-116~  1998年11月
  • InN成長におけるAs4照射の効果
    胡桃 洋一, 和田 英紀, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 17p-YB-15, 321 1998年09月
  • GaNバッファ層を用いたサファイア基板上へのInN成長
    杉浦 敏充, 赤地 俊哉, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 17p-YA-7, 309 1998年09月
  • 立方晶GaNのMBE成長におけるAs4照射効果
    和田 英紀, 胡桃 洋一, 橋本 明弘, 増田 淳, 山本 暠勇
    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 17p-YB-4, 318 1998年09月
  • α-Al2O3基板上n型GaN膜の電気化学的挙動
    辻 康幸, 杉浦 敏充, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集No.1, 15p-YB-6, 284  1998年09月
  • Anomalous Electrochemical Behavior of N-Type GaN Films on α-Al2O3 Substrates
    A.Yamamoto, Y.Tsuji, T.Sugiura, A.Hashimoto
    Ext. Abst. of the 1998 Int. Conference on Solid State Devices and Materials, 464-465  1998年09月
  • Suppression of h-GaN Mixing by As4 Molecular Beam in c-GaN Growth on GaAs (100) Substrates
    A.Hashimoto, T.Motizuki, H.Wada, Y.Kurumi, A.Yamamoto
    Abst. of the Tenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 595-596  1998年08月
  • GaAs(100)基板上InN成長におけるバッファ層の効果
    杉浦 敏充, 一村 浩, 新谷 智弘, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 29p-ZQ-17, 355 1998年03月
  • 陽極化成法による多孔質GaAsの形成
    和田 英紀, 望月 孝則, 戸崎 一浩, 大久保 貢, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 29a-PC-25, 489 1998年03月
  • MOVPE成長InN膜への窒素イオン注入
    千坂 忠司, 杉浦 敏充, 新谷 智弘, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 榎戸 裕二
    第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.1, 30a-ZR-9, 402  1998年03月
  • MOVPE法による高In組成InGaNの成長
    中川 佳則, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, D-27, 226 1998年01月
  • InN, GaNへの窒素イオン注入効果
    安達 正人, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, D-29, 228 1998年01月
  • α-Al2O3基板上InN成長におけるGaNバッファ層の効果
    赤地 俊哉, 杉浦 敏充, 辻 康幸, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, D-28, 227  1998年01月
  • 水素終端Si(111)基板上C60成長時における電子線照射の影響
    高島 寛和, 中谷 真人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, D-19, 224  1991年01月
  • MOVPEによるα-Al2O3基板上GaN膜特性に対するキャリアガスの影響
    東 克彦, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, D-21, 226 1991年01月
  • RF-MBE法によるGaAsN成長
    古畑 隆, 植田 武憲, 北野 武司, グエン・アン・キェット, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集, D-22, 227 1991年01月
  • Raman Characterization of Lattice-Matched GaInAsN Layers Grown on GaAs (001) Substrates
    A.Hashimoto, T.Kitano, A.K.Nguen, A.Masuda, A.Yamamoto, S.Tanaka, M.Takahashi, A.Moto, T.Takagishi
    Technical Digest of the International PVSEC-12, Jeju, Korea, June, 2001, pp.665. 2001年
  • RBS測定によるInNヘテロエピタキシャル界面の評価
    安達 正人, A.G.Bhuiyan, 橋本 明弘, 山本 暠勇, 伊藤 慶文
    平成12年度日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-8, p.122 2000年
  • MOVPE成長InN膜の評価:常圧成長と減圧成長の比較
    小出 国宏, 安達 正人, 橋本 明弘, 山本 暠勇
    平成12年度日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演予稿集, IX-9, p.123 2000年
  • メソスコピック光導波路の伝送特性の解析(7)
    大高 眞人, 橋本 明弘, 橘 正純
    第45回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集 1998年

共同・受託研究希望(研究シーズ)登録

    MBE Growth of III-V-N Films 橋本 明弘,固体C60結晶のファンデルワールスエピタキシー 橋本 明弘,Van der Waals Epitaxy of Solid C60 Films 橋本 明弘,C-GaN単結晶のMBE成長 橋本 明弘,MBE Growth of C-GaN single Crystal Films 橋本 明弘,III-V-N結晶のMBE成長 橋本 明弘,

共同研究

  • DLC層と半導体単結晶薄膜との分子間力接合界面評価 2009年度
  • 多結晶GaNのデバイス応用 2005年度
  • 多結晶GaNのデバイス応用 2004年度
  • 有機金属原料およびV族元素水素化物原料の光化学反応過程に関する研究 2004年度
  • 高効率太陽電池用III-V族窒化物半導体のエピタキシャル成長に関する研究 2004年度
  • 有機金属原料およびⅤ族元素水素化物原料の光化学反応過程に関する研究 2003年度

受託研究

  • 高効率タンデム型太陽電池搭載ポータブル電源の開発 2007年度
  • 高効率タンデム型太陽電池搭載ポータブル電源の開発(WG3) 2006年度
  • 窒化インジウム系薄膜太陽電池の研究開発 2005年度
  • 窒化インジウム系薄膜太陽電池の研究開発 2004年度
  • 太陽光発電技術研究開発 先進太陽電池技術研究開発 超高効率結晶化合物系太陽電池モジュール製造技術(高効率太陽電池用Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体のエピタキシャル成長に関する研究) 2003年度

特許

  • 特許5470610:グラフェンシートの製造方法
    橋本 明弘
    特願2007-261188
    特番5470610
  • 特許5137066:グラフェンシートの製造方法
    橋本 明弘, 田中悟,
    特願特願2007-233535
    特番5137066
    グラフェン
  • 特許4023747:窒化酸化インジウム光触媒及びその製造方法
    山本 暠勇, 橋本 明弘,
    特願特願2002-205288
    特番4023747
  • 特許2691667:光半導体素子及びその製造方法
    橋本 明弘, パーマー・ジョイス・エレン, 田村誠男,
    特番2691667
    光半導体素子

受賞

  •  応用物理学会 APEX & JJAP 編集貢献賞2016年04月
  •  電子情報通信学会北陸支部 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞2012年03月
    学生による優秀発表
  •  社団法人 電気学会 電気学会産業応用部門部門活動功労賞2006年08月
    平成17年部門大会実行委員会幹事としての貢献
  •  社団法人 電気学会 電気学会論文発表賞1993年03月
  •  社団法人 電気学会 電気学会論文発表賞1991年03月

科学研究費補助金

  • グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2010年度
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究基盤研究(B)(一般)
    代表者:橋本 明弘 2009年度
    研究総括と結晶成長
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究基盤研究(B)(一般)
    代表者:橋本 明弘 2008年度
    研究総括と結晶成長
  • InA1N系多接合タンデム太陽電池の研究特定領域研究(新規領域)
    代表者:山本 あき勇 2008年度
    InA1N薄膜の結晶学的評価
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究基盤研究(B)(一般)
    代表者:橋本 明弘 2007年度
    研究総括と結晶成長
  • MOVPE成長InNの高品質化と電子輸送特性の解明基盤研究(C)一般
    代表者:山本 あき勇 2007年度
    MOVPE成長InNの結晶学的評価
  • InA1N系多接合タンデム太陽電池の研究特定領域研究(新規領域)
    代表者:山本 あき勇 2007年度
    InA1N薄膜の結晶学的評価
  • ArFエキシマレーザを用いたInNのMOCVD成長基盤研究(C)
    代表者:山本 暠勇 2003年度

プロジェクト活動

  • 革新的次世代太陽光発電システム技術研究開発委託事業
    研究期間:2006年01月 - 2010年03月  代表者:山本 あき勇,橋本 明弘,
  • 革新的次世代太陽光発電システム技術研究開発委託事業
    研究期間:2004年01月 - 2006年03月  代表者:橋本 明弘,山本 あき勇,

教育活動情報

担当授業

  • エネルギ-と環境
  • 日本の工学と技術
  • エネルギー工学
  • パワーエレクトロニクス
  • 電気エネルギー発生
  • 電気エネルギー応用
  • 技術史
  • 日本の基礎工学
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅰ
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅱ
  • エネルギー工学特論
  • エネルギーと環境
  • パワーエレクトロニクス
  • 電気エネルギー発生
  • 電気エネルギー応用
  • 技術史
  • 電気・電子工学実験演習
  • 電気・電子工学実験演習
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅰ
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅱ
  • 電気・電子工学PBL
  • エネルギー工学特論
  • ベクトル解析
  • エネルギーと環境
  • 電気エネルギー発生
  • 電気エネルギー応用
  • 技術史
  • 電気・電子工学実験演習
  • 電気・電子工学実験演習
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅰ
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅱ
  • 電気・電子工学PBL
  • エネルギー工学特論
  • エネルギーと環境
  • ベクトル解析

社会貢献・国際交流活動情報

学外教育活動

  • エネルギーと環境
  • 福井産エネルギーを考える
  • 進学説明会@京都
  • 福井産エネルギーを考える
  • マレーシア・ツイニング・プログラム