塩島 謙次

所属部署名電気・電子工学講座
教員組織電気・電子工学講座
教育研究組織工学部・工学研究科
職名教授
更新日: 19/07/23 19:05

研究者基本情報

氏名

    塩島 謙次
    シオジマ ケンジ
    SHIOJIMA Kenji

基本情報

所属

  •  電気・電子工学講座 教授

学歴

  • 1989年04月- 1992年03月東京都立大学 電気工学専攻

学位

  • 工学博士

経歴

  • 1992年04月- 2006年03月NTTフォトニクス研究所 研究主任

所属学協会

    日本材料学会 その他,平成30年度「省エネルギー等国際標準開発(国際標準分野)/GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化」、GaN結晶欠陥転位の検出WG その他,独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 その他,応用物理学会 編集委員,電子情報通信学会 編集委員,6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) その他,第31,32,33回電子材料シンポジウム その他,第29,30回電子材料シンポジウム その他,2011 SPIE Photonics West その他,MRS 2012 Spring Meeting その他,電子情報通信学会北陸支部 その他,6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-6) その他,電子情報通信学会 その他,応用物理学会 その他,電気学会 その他,電子情報通信学会 編集委員,応用物理学会 その他,独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術154委員会 その他,電気学会 その他,電子情報通信学会 編集委員,応用物理学会 編集委員,Electrochemical Society その他,応用物理学会 その他,電子情報通信学会 その他,日本材料学会 その他,

海外渡航歴

  • 米国 ICNS-13学会 2019年07月- 2019年07月
  • ギリシャ E-MRS & MRS-J 合同シンポジウム 2018年10月- 2018年10月
  • マレーシア MJHEP 2018年07月- 2018年07月
  • 米国 MRS会議 2018年04月- 2018年04月

研究活動情報

論文

  • Mapping of damage induced by neutral beam etching on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Samukawa
    Japanese Journal of Applied Physics 58 SCCD13-1-SCCD13-5 2019年05月 査読有り
  • Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, Takashi Shinohe
    Thin Solid Films 685 17-25 2019年05月 査読有り
  • Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage
    Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima
    Japanese Journal of Applied Physics 58 SCCD02-1-SCCD02-7 2019年04月 査読有り
  • Mapping of a Ni/SiNx/n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, and Mayumi B. Takeyama
    Japanese Journal of Applied Physics 58 SBBC02-1-SBBC02-6 2019年02月 査読有り
  • Effect of surface treatment of printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers using Ag nanoink: Two dimensional characterization by scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Masashi Saitoh, Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi Fujiwara
    Japanese Journal of Applied Physics 57 07MA01-1-07MA01-5 2018年06月 査読有り
  • Electrical characteristics of n-GaN Schottky contacts on cleaved surfaces of free-standing substrates: Metal work function dependence of Schottky barrier height
    Hiroyoshi Imadate, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima
    Japanese Journal of Applied Physics 57 04FG13-1-04FG13-5 2018年03月 査読有り
  • Observations of inhomogeneity of 3C-SiC layers grown on 6H-SiC substrates by using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Naoki Mishina, Naoto Ichikawa, and Masashi Kato
    Japanese Journal of Applied Physics 57 04FR06-1-04FR06-4 2018年02月 査読有り
  • Defect observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky contacts on Si substrates using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Hiroaki Konishi, Hiroyoshi Imadate, Yuya Yamaoka, Kou Matsumoto, and Takashi Egawa
    Japanese Journal of Applied Physics 57 04FG07-1-04FG07-5 2018年02月 査読有り
  • Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface morphology using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Fumimasa Horikiri, Takeshi Tanaka, and Tomoyoshi Mishma
    physica status solidi B 255(5) 1700480 2017年11月 査読有り
  • ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価
    柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、塩島謙次、垣内宏之
    第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集(Mate2018) 24 159-162 2018年01月 査読有り
  • Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces
    Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai
    Japanese Journal of Applied Physics 57 02BE04-1-02BE04-5 2018年01月 査読有り
  • Deep-level transient spectroscopy of low-free-carrier-concentration n-GaN layers grown on freestanding GaN substrates: Dependence on carbon compensation ratio
    Takeshi Tanaka, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima, and Yutaka Tokuda
    Japanese Journal of Applied Physics 55 061101-1-061101-4 2016年05月 査読有り
  • Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy
    Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara and Kenji Shiojima
    physica status solidi (b) 252(5) 1017-1023 2015年05月 査読有り
  • Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts
    Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano and Kenji Shiojima
    physica status solidi (b) 252(5) 1024-1030 2015年05月 査読有り
  • 半導体研究者が取り組んだ枕研究
    塩島謙次
    応用物理 86(10) 913-915 2017年10月 査読無し
  • Mapping of ion-implanted n-SiC schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
    Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, Kenji Shiojima
    Materials Science in Semiconductor Processing 70 86-91 2017年11月 査読有り
  • Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts
    Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Kenji Shiojima
    Materials Science in Semiconductor Processing 70 207-212 2017年11月 査読有り
  • Mapping etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy
    AkihisaTerano, Hiroyoshi Imadate, Kenji Shiojima
    Materials Science in Semiconductor Processing 70 92-98 2017年11月 査読有り
  • Mapping of Au/a-IGZO Schottky contacts by using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima and Masato Shingo
    physica status solidi B 254(2) 1600587-1600591 2016年12月 査読有り
  • Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions
    Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, and Masashi Kato
    Japanese Journal of Applied Physics 56(4S) 04CR06-1-04CR06-4 2017年02月 査読有り
  • Nondestructive imaging of buried interfaces in SiC and GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, Tomoyoshi Mishima
    Applied Physics Express 8 046502-1- 046502-4 2015年03月 査読有り
  • Roles of lightly doped carbon in the drift layers of vertical n-GaN Schottky diode structures on freestanding GaN substrates
    Takeshi Tanaka, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, Kenji Shiojima
    Japanese Journal of Applied Physics 54 041002-1、-7 2015年03月 査読有り
  • High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes
    Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, Tomoyuki Mishima
    Thin Solid Films 557 268-271 2014年03月 査読有り
  • Alternating current operation of low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes
    Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyuki Mishima, Kenji Shiojima
    Thin Solid Films(557) 258-261 2014年03月 査読有り
  • A study on multiple defect states in low-carbon doped GaN layers and its correlation with AlGaN/GaN high electron mobility transistor operation
    Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima, Yohei Otoki, Yutaka Tokuda
    Thin Solid Films(557) 207-211 2014年03月 査読有り
  • High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces
    Toshichika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyuki Mishima, Kazuki Nomoto, Kenji Shiojima
    Japanese Journal of Applied Physics 52(11) 11NH03-1 -4 2013年11月 査読有り
  • Effect of Inductively Coupled Plasma Etching in p-Type GaN Schottky Contacts
    Kenji Shiojima, Takafumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyuki Mishima, Kazuki Nomoto
    Japanese Journal of Applied Physics 52(8) 08JJ08-1 -4 2013年06月 査読有り
  • Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method
    Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, Gako Araki
    Japanese Journal of Applied Physics 52(8) 08JN06-1 -4 2013年05月 査読有り
  • 応用物理学会の国際化に向けて (前編)
    Oliver Wright, 塩島 謙次, 野田 進, 河田 聡
    応用物理 82(2) 93-99 2013年02月 査読無し
  • 応用物理学会の国際化に向けて (後編)
    Oliver Wright, 塩島 謙次, 野田 進, 河田 聡
    応用物理 82(3) 2013年02月 査読無し
  • Electrical Characteristics of Surface-Stoichiometry-Controlled p-GaN Schottky Contacts
    Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka
    Japanese Journal of Applied Physics 52 01AF05-1 -6 2013年01月 査読有り
  • メイド・イン・ジャパンの騎手たち
    塩島 謙次
    応用物理 82(10) 821-825 2013年01月 査読無し
  • Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies
    Unhi Honda, Yujiro Yamada, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima
    Japanese Journal of Applied Physics 52(4) 04DF04-1-4 2012年04月 査読有り
  • I-V and C-V characteristics of rare-earth-metal/p-GaN Schottky contacts
    Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, Kenji Shiojima
    P hys. Status Solidi C 6(52) S856-S859 2009年05月 査読有り
  • Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures
    H. Chikaoka, Y. Takakuwa, K. Shiojima, M. Kuzuhara
    IEICE TRANS. ELECTRON. E92-C(5) 691-695 2009年05月 査読有り
  • Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure
    H. Makino, N. Ishikawa, K. Shiojima, M. Kuzuhara
    Jpn. J. Appl. Phys. 48 04C103 2009年04月 査読有り
  • GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響
    塩島 謙次
    日本結晶成長学会誌 36(3) 214-221 2009年 査読有り
  • Optimum Rapid Thermal Activation of Mg-doped p-type GaN
    Motoi Nagamori, Shuichi Ito, Hiroshi Saito, Kenji Shiojima, Shuhei Yamada, Naoki Shibata, Masaaki Kuzuhara
    Japanese Journal of Applied Physics 47(4) 2865-2867 2008年04月 査読有り
  • SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護膜効果
    塩島 謙次, 重川直輝
    電気学会論文誌C分冊 128(6) 896-899 2008年 査読有り
  • AlGaN/GaN Dual-gate MENT mixers for 24-GHz pulse-modulation
    K. Shiojima, T. Makimura, T. Kosugi, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, H. Yokoyama
    2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 1331-1334 2006年06月 査読有り
  • Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs
    K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, H. Yokoyama
    physica status solidi (c) 3(6) 2360-2363 2006年 査読有り
  • Dual-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors with short gate length for high-power mixers
    K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, M. Hiroki, H. Yokoyama
    physica status solidi (c) 3(3) 469-472 2006年 査読有り
  • Intrinsic transit delay and effective electron velocity of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    T. Suemitsu, 塩島 謙次, T. Makimura, N. Shigekawa
    Japanese Journal of Applied Physics 44 L211 2005年 査読有り
  • AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistors on SiC substrates for high-power mixers
    塩島 謙次, T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa, T. Egawa
    physica status solidi (c) 2(7) 2623-2626 2005年 査読有り
  • Low frequency noise of AlGaN/GaN MODFETs: a comparative study of surface, barrier and heterointerface effects
    P. Valizadeh, D. Pavlidis, 塩島 謙次, T. Makimura, N. Shigekawa
    Journal of Solid-State Electronics 49 1352-1360 2005年 査読有り
  • Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate high-electron-mobility transistors on sapphire substrates
    塩島 謙次, T. Makimura, T. Suemitsu, N. Shigekawa
    Japanese Journal of Applied Physics 44(12) 8435-8440 2005年 査読有り
  • Reproducibility of velocity dispersion in GaN-based surface acoustic wave filters on (0001) sapphier substrates
    N. Shigekawa, K. Nishimura, H. Yokoyama, 塩島 謙次, K. Hokawa
    IEICE Electronics Express 2(19) 495-500 2005年 査読有り
  • Thermal Stability of Electrical Properties in AlGaN/GaN Heterostructures
    塩島 謙次, N. Shigekawa
    Japanese Journal of Applied Physics 43(1) 100-105 2004年 査読有り
  • High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates
    塩島 謙次, T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa, T. Egawa
    Electronics Letters 40(12) 775-776 2004年 査読有り
  • Systematic study of thermal stability of AlGaN/GaN two-dimensional electron gas structure with SiN surface passivation
    塩島 謙次, S. Sugitani, N. Shigekawa
    IEICE Electronics Express 1(7) 160-164 2004年 査読有り
  • Correlation between current-voltage characteristics and dislocations evaluated with submicrometer Schottky contacts on n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
    塩島 謙次, T. Suemitsu
    Journal of Vacuum Science and Technology B21(2)(Mar/Apr) 698 2003年03月 査読有り
  • Device temperature measurement of highly biased AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    N. Shigekawa, K. Onodera, 塩島 謙次
    Japanese Journal of Applied Physics 42 2245 2003年 査読有り
  • Electrical characteristics of low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky contacts
    Physica status solidi (b) 252(5) 1031-1037 2015年03月 査読有り
  • Probing buried interfaces in Schottky contacts
    Compound semiconductor 21(3) 69-69 2015年03月 査読無し
  • Electrical characteristics of N-polar <000-1> p-type GaN Schottky contacts
    Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, and Kenji Shiojima
    Japanese Journal of Applied Physics 55 04EJ09-1-04EJ09-5 2016年03月 査読有り
  • Electrical characteristics of Au/Ni Schottky diodes on cleaved m-plane surfaces of free-standing n-GaN substrates
    Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima
     55 04EG06-1-04EG06-4 2016年03月 査読有り
  • Two-dimensional characterization of ion-implantation damage in GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
     55 04EG05-1-04EG05-4 2016年03月 査読有り
  • Mapping of Si/SiC p–n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy
    Japanese Journal of Applied Physics 55 04ER15-1-04ER15-4 2016年03月 査読有り
  • Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価
    塩島 謙次、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木 行康、斎藤 大志、松川 公洋、藤原 康文
    エレクトロニクス実装学会秋季大会第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 2263-2266 2016年09月 査読有り

著書

  • Semiconductor Process Integration 10
    J. Murota, C. L. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai, K. Shiojima, P. Chin
    共同編集
    Electrochemical Society 2017年08月
    978-1-62332-464-3
  • 半導体大事典
    塩島 謙次
    編集
    株式会社工業調査会 1999年
  • State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XL and Narrow Bandgap Optoelectronic Materials and Devices II
    D.N. Buckley, W. K. Chan, P. C. Chang, 塩島 謙次, P.D. Fox
    執筆、編集
    The Electrochemical Society, Inc. 65 South Main Street, New Jersey, USA 2004年
  • State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XLII and Processes at the Compound-Semiconductor/Solution Interface
    P. C. Chang, D.N. Buckley, S. Ahmed, 塩島 謙次
    執筆、編集
    The Electrochemical Society, Inc. 65 South Main Street, New Jersey, USA 2005年
  • 高周波半導体材料・デバイスの新展開
    塩島 謙次, 本城和彦, 乙木洋平, 大谷昇, 柴田智彦, 田中光浩, 川村史朗, 森勇介, 佐々誠彦, 井上正崇, 天野浩, 東脇正高, 江川孝志, 吉見信, 葛原正明, 内富直隆, 吉川俊英, 吉田清輝, 田中毅, 橋詰保, 小椋厚志, 大橋弘通, 福田憲司, 四戸孝, 平川一彦
    執筆、編集
    HEMTプロセス技術
    シーエムシー出版 2006年11月
  • State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 49 and Nitrides and Wide-Bandgap Semiconductors forSensors, Photonics, and Electronics 9
    J. Wang, K. Shiojima, J. Kim, H. C. Kuo, M. Overberg, D. Bour, M. Goorsky, T. Hashizume, T. Kikkawa, Y. Sano, E. B. Stokes
    執筆、編集
    The Electrochemical Society, Inc. 65 South Main Street, New Jersey, USA 2008年01月
    978-1-56677-653-0
  • 平成20年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集
    塩島 謙次
    執筆、編集
    なし 2008年11月
    978-4-903968-74-2
  • 化合物半導体技術大全
    塩島 謙次
    執筆、編集
    GaN電子デバイス製造技術
    株式会社電子ジャーナル 2009年02月
  • 平成21年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会予稿集
    塩島 謙次
    執筆、編集
    なし 2009年11月
    978-4-86348-049-0
  • Reliability and materials issues of III-V semiconductor optical and electron devices and materials II
    Osamu Ueda, Mitsuo Fukuda, Kenji Shiojima, Edwin Piner
    執筆、編集
    Cambridge university press 2012年09月
    978-1-60511-409-5
  • 2013化合物半導体技術大全CD-ROM版
    塩島 謙次
    執筆、編集
    第1編第3章第2節GaN高周波デバイスの現状と将来展望、第2編第6章第3節GaN電子デバイス製造技術
    株式会社電子ジャーナル 2013年01月
  • 2014 GaNパワー/高周波デバイスの最新動向★徹底解説
    塩島 謙次
    執筆
    株)電子ジャーナル 2014年02月
  • Thin Solid Films
    Seiichi Miyazaki, Matty R. Caymax, Siegfried Mantl, Masanobu Miyao, Junichi Murota, Toshio Ogino, Tsugunori Okumura, Kenji Shiojima, James C. Sturm, Shinichi Takagi, Akira Toriumi, Kastuyoshi Washio, Ya-Hong Xie, Shigeaki Zaima
    執筆、編集
    Elsevier 2014年04月
    ISSN 0040-6090
  • 電気電子材料
    門進三、尾崎雅則、鷲尾勝由、塩島謙次、斗内政吉
    執筆
    オーム社 2016年01月
    978-4-274-21678-7

講演・口頭発表等

  • Mapping of n-GaN Schottky Contacts Formed on Facet-Growth Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Kaori Kurihara
    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13 2019年07月 選考有り
  • Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Freestanding GaN Substrates
    Kenji Shiojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, and Tomoyoshi Mishima
    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13) 2019年07月 選考有り
  • 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価
    松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2019年03月 選考有り 応用物理学会
  • 水素イオン注入n-GaNに導入される正孔トラップの評価
    田村 和也、伊豫田 健、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀
    応用物理学会春季学術講演会 2019年03月 選考有り 応用物理学会
  • n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定
    塩島 謙次, 前田 昌嵩, 三島 友義
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2018年11月 選考無し
  • Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima
    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4) 2018年11月 選考無し
  • Mapping of neutral-beam etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Samukawa
    IWN 2018 2018年11月 選考有り
  • Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage
    Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima
    IWN 2018 2018年11月 選考有り
  • DLTS and MCTS studies of traps in hydrogen implanted and subsequently annealed n-GaN
    K. Iyoda, J. Ito, T. Yagi, K. Shiojima and Y. Tokuda
    IWN 2018 2018年11月 選考有り
  • Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima
    4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium 2018年10月 選考有り
  • Mapping of interfacial reaction of -Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, and Takashi Shinohe
    4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium 2018年10月 選考有り
  • 界面顕微光応答法によるファセット成長n-GaNショットキー接触の2次元評価
    前田 昌嵩、塩島 謙次、栗原 香
    応用物理学会秋季学術講演会 2018年09月 選考有り 応用物理学会
  • GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけるオフ角の影響
    塩島 謙次、佐川 知大、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義
    応用物理学会秋季学術講演会 2018年09月 選考有り 応用物理学会
  • 中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価
    塩島 謙次、末光 哲也、尾崎 卓哉、寒川 誠二
    応用物理学会秋季学術講演会 2018年09月 選考有り 応用物理学会
  • Mapping of Ni/SiNx/n-SiC Structure Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, and Mayumi B. Takeyama
    International conference on Solid State Devices and Materials 2018 (SSDM2018) 2018年09月 選考有り 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法によるNi/SiN/n-SiC MIS構造の2次元評価
    橋爪孝典,佐藤勝, 武山真弓, 塩島謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2018年03月 選考無し 応用物理学会
  • GaN系材料の結晶評価、電極形成技術のふり返り
    塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2018年03月 選考無し 応用物理学会
  • ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価
    柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、塩島謙次、垣内宏之
    第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム(Mate2018) 2018年01月 選考有り スマートプロセス学会、溶接学会
  • GaNショットキー接合の黎明期からのふり返り
    塩島謙次
    日本学術振興会 産学協力研究委員会半導体界面制御技術第154 委員会第107 回研究会 2018年01月 選考無し 日本学術振興会第154委員会
  • Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces
    Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai
    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017) 2017年05月 選考有り
  • 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価~金属仕事関数依存性
    塩島 謙次、今立 宏美、三島 友義
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2017年11月 選考無し
  • 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価
    塩島謙次、橋爪孝典、堀切文正、田中丈士、三島友義
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2017年11月 選考無し
  • Effect of Surface Treatment in Printed Ag Schottky Contacts on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink
    Kenji Shiojima, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Yukiyasu Kashiwagi, Masashi Saitoh, Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi Fujiwara
    Advanced Metallization Coference 2017 2017年10月 選考有り
  • p型GaNにおける深い準位を介した発光特性の解析
    庄司 凌、上原 大侑、馬 蓓、森田 健、石谷 善博、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2017年09月 選考有り
  • 水素イオン注入n-GaNの逆バイアス熱処理効果
    伊豫田 健、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀
    応用物理学会秋季学術講演会 2017年09月 選考有り
  • 自立GaN基板上p+-nダイオードのエピ層表面モフォロジーによる不均一な電流密度分布
    林 賢太郎、太田 博、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、藤倉 序章、塩島 謙次、中村 徹、三島 友義
    応用物理学会秋季学術講演会 2017年09月 選考有り
  • n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定
    前田 昌嵩、三島 友義、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2017年09月 選考有り
  • 界面顕微光応答法によるα-Ga2O3ショットキー接触の界面反応の2次元評価
    今立 宏美、神原 仁志、徳田 梨絵、松田 時宜、四戸 孝、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2017年09月 選考有り
  • Defect Observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky Contacts on Si Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    K. Shiojima, H. Konishi, H. Imadate, Y. Yamaoka, K. Matsumoto, T. Egawa
    International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 2017年09月 選考有り
  • In-Situ Mapping of Degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using Video-Mode Scanning Internal Photoemission Microscopy
    K. Shiojima, S. Murase, Y. Watamura, T. Suemitsu
    International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 2017年09月 選考有り
  • Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    K. Shiojima, N. Mishina, N. Ichikawa, M. Kato
    International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 2017年09月 選考有り
  • Electrical Characteristics of n-GaN Schottky Contacts on Cleaved Surfaces of Free-Standing Substrates -- Metal Work-Function Dependence of Schottky Barrier Height --
    H. Imadate, T. Mishima, K. Shiojima
    International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017), 2017年09月 選考有り
  • Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface morphology using scanning internal photoemission microscopy
    K. Shiojima, T. Hashizume, F. Horikiri, T. Tanaka, and T. Mishma
    ICNS12 2017年07月 選考有り
  • Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons Across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces
    N. Shigekawa, S. Shimizu, J. Liang, M. Shingo, K. Shiojima, and M. Arai
    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration 2017年05月 選考有り
  • 界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
    塩島 謙次
    応用物理学会結晶工学分科会第147回研究会 2017年06月 選考無し 応用物理学会
  • Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers
    K. Shiojima, N. Ichikawa, and M. Kato
    CSW 2017 2017年05月 選考有り
  • 水素イオン注入n-GaNの熱処理
    伊豫田 健、高林 洸太、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀
    応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 選考無し
  • 界面顕微光応答法によるSi基板上Ni/AlGaN/GaNショットキー接触の2次元評価
    小西 宏明、今立 宏美、山岡 優哉、松本 功、江川 孝志、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 選考無し
  • 界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
    塩島 謙次、三品 直樹、市川 尚澄、加藤 正史
    応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 選考無し
  • 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN MIS HEMTの劣化過程の2次元評価
    村瀬 真悟、渡村 遥、末光 哲也、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 選考無し
  • 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (4)--金属仕事関数依存性--
    今立 宏美、三島 友義、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 選考無し
  • 界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価
    纐纈 悠貴、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 選考無し
  • 金属/GaNショットキー接触の評価-黎明期からの振り返り-
    塩島 謙次
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2017年01月 選考無し
  • 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 表面処理の影響 ~
    塩島謙次、永縄萌、三島友義
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2016年12月 選考無し
  • 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価
    塩島謙次、村瀬真悟、前田昌嵩、三島友義
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2016年12月 選考無し
  • Temperature dependence of current-voltage characteristics for low-Mg-doped Ni/p-GaN Schottky diodes
    Toshichika Aoki, Kenji Shiojima
    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2015 2015年08月 選考有り
  • n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価
    永縄 萌、青木 俊周、三島 友義、塩島 謙次
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2015年07月 選考無し
  • N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価
    青木 俊周、谷川 智之、片山 竜二、松岡 隆志、塩島 謙次
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2015年07月 選考無し
  • Non-destructive imaging of buried interfaces of SiC and GaN Schottky diodes by scanning internal photoemission microscopy
    Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, and Tomoyoshi Mishima
    42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2015年06月 選考有り
  • 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の2次元評価
    山本晋吾, 畠山 信也, 末光 哲也, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2015年03月 選考無し 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法を用いたイオン注入 n-GaNショットキー接触の2次元評価
    村瀬真悟, 山本晋吾, 田中丈士, 三島友義, 中村徹, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2015年03月 選考無し 応用物理学会
  • 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価
    永縄 萌, 青木 俊周, 吉田 丈洋, 三島友義, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2015年03月 選考無し 応用物理学会
  • N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価
    青木 俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2015年03月 選考無し 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化機構の2次元評価
    塩島 謙次, 山本 晋吾, 木原雄平
    電子情報通信学会研究会 2014年11月 選考無し 電子情報通信学会
  • GaN表面、界面、結晶欠陥の評価とデバイス特性への影響
    塩島 謙次
    第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価・制御」 2014年09月 選考無し 日本物理学会 領域10結晶欠陥分科
  • 界面顕微光応答法によるNi/n-SiCショットキー接触の2次元評価
    木原雄平, 山本晋吾, 塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月 選考無し 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法を用いたn-GaNショットキー接触の2次元評価--表面構造の影響--
    山本晋吾, 木原雄平, 塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月 選考無し 応用物理学会
  • 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の 表面欠陥の評価
    青木俊周, 塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月 選考無し 応用物理学会
  • Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy
    Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, Kenji Shiojima
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 2014年08月 選考有り 0
  • Electrical Characteristics of Low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky Contacts
    Toshichika Aoki, Sachi Tachibana, Kenji Shiojima
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 2014年08月 選考有り 0
  • Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts
    Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano, Kenji Shiojima
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 2014年08月 選考有り 0
  • 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の 電気的特性の評価
    青木俊周, 橘佐智, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2014年03月 選考無し 応用物理学会
  • a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価(2)
    永縄萌, 青木俊周, Ji-Su Son, 天野浩, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2014年03月 選考無し 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価
    山本晋吾, 木原雄平, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2014年03月 選考無し 応用物理学会
  • Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates
    Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki
    7th International WorkShop on?New Group IV?Semiconductor Nanoelectronics ?and ?JSPS Core-to-Core Program ?Joint Seminar?Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2014年01月 選考無し 0
  • Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN contacts
    Kenji Shiojima
    2nd Intensive Discussion of Growth of Nitride Semiconductors(IDGN-2) 2014年01月 選考無し 0
  • Metal work function dependence of Schottky barrier height by internal photoemission measurements of low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts
    Toshichika Aoki, Kenji Shiojima
    2013 MRS (Material Research Society) fall meeting 2013年12月 選考有り MRS
  • Characterization of traps in high-resistivity MOCVD GaN doped with carbon
    Yutaka Tokuda, Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima, Yohei Otoki
    2013 MRS (Material Research Society) fall meeting 2013年12月 選考有り MRS
  • 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作
    塩島 謙次, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義
    電子情報通信学会研究会 2013年11月 選考無し 電子情報通信学会
  • GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
    塩島 謙次, 木原雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義
    電子情報通信学会研究会 2013年11月 選考無し 電子情報通信学会
  • 高抵抗GaNのトラップ評価
    徳田豊, 田中丈士, 塩島 謙次, 乙木洋平
    応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月 選考無し 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価
    山本晋吾, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月 選考無し 応用物理学会
  • a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価
    青木俊周, Ji-Su Son, 天野浩, 塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月 選考無し 応用物理学会
  • GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価(2)
    木原雄平, 塩島 謙次, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義
    応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月 選考無し 応用物理学会
  • p形GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響
    青木俊周, 吉田智洋, 末光哲也, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月 選考無し 応用物理学会
  • Evaluation of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates
    塩島 謙次, 木原 雄平, 青木 俊周, 金田直樹, 三島友義
    10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10) 2013年08月 選考有り 0
  • Displacement current in current-voltage characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces
    塩島 謙次, 青木 俊周, 金田直樹, 三島友義
    10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10) 2013年08月 選考有り 0
  • AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes
    青木 俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次
    第32回電子材料シンポジウム 2013年07月 選考有り 0
  • AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes
    青木 俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次
    6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV) 2013年06月 選考有り 0
  • High-Temperature ICTS Study on SiN Deposition Damages for Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes
    塩島 謙次, 若山尚司, 青木 俊周, 金田直樹, 野本一貴, 三島友義
    6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV) 2013年06月 選考有り 0
  • Systematic Study on Defect Formation and HEMT Operation of Low-Carbon Doped GaN Layers
    Takeshi Tanaka, Yohei Otoki, Kenji Shiojima, Yutaka Tokuda
    6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV) 2013年06月 選考有り 0
  • MOCVD growth of carbon-doped InGaAs layers using ethyl-base organic materials
    横浜 秀雄, 塩島 謙次, 荒木 賀行
    International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2013 2013年05月 選考無し 0
  • 低Mgドープp-GaNショットキー接触の交流動作
    青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2013年03月 選考無し 応用物理学会
  • GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
    塩島 謙次, 木原 雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義
    応用物理学会春期学術講演会 2013年03月 選考無し 応用物理学会
  • GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-
    塩島 謙次, 中村成志
    応用物理学会春期学術講演会 2013年03月 選考無し 応用物理学会
  • 低Mgドープp形GaNショットキー接触の評価
    塩島 謙次
    応用物理学会春期学術講演会 2013年03月 選考無し 応用物理学会
  • M O C V D 法によるエチル系有機材料を用いた 炭素ドープI n G a A s 層の成長
    横濱 秀雄, 塩島 謙次, 荒木 賀行
    応用物理学会春期学術講演会 2013年03月 選考無し 応用物理学会
  • Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces
    塩島 謙次
    6th International WorkShop on?New Group IV?Semiconductor Nanoelectronics ?and ?JSPS Core-to-Core Program ?Joint Seminar?Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2013年02月 選考無し 0
  • Initial stage of ohmic formation for Ti/Al contacts on GaN and AlGaN/GaN
    塩島 謙次, 横浜 秀雄, 荒木
    6th International WorkShop on?New Group IV?Semiconductor Nanoelectronics ?and ?JSPS Core-to-Core Program ?Joint Seminar?Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2013年02月 選考無し 0
  • High-temperature ICTS study on ICP etching damages for p-GaN surfaces
    青木 俊周, 若山尚司, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島 謙次
    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013) 2013年01月 選考有り 0
  • Characterization of electron traps in MOCVD p-GaN by minority carrier transient spectroscopy
    Unhi Honda, Toshiya Matsuura, Hidenari Naito, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima
    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013) 2013年01月 選考有り 0
  • MOCVD成長p-GaN電子トラップの評価
    本田銀熙, 塩島 謙次, 徳田 豊
    応用物理学会学術講演会 2012年09月 選考無し 公益社団法人 応用物理学会
  • p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(2)--高温ICTSによる評価―
    高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2012年09月 選考無し 応用物理学会
  • 低Mgドープp-GaNショットキー接触の順方向I-V特性の解析
    青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2012年09月 選考無し 応用物理学会
  • 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の 電気的特性
    塩島 謙次, 高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 田中悟, 梶原隆
    電子情報通信学会電子デバイス研究会 2012年07月 選考無し 0
  • p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響
    高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島 謙次
    通信学会電子デバイス研究会 2012年07月 選考無し 電子情報通信学会
  • 光応答法によるTi/Alオーミック電極形成初期過程の評価
    出店克顕, 横浜秀雄, 荒木賀行, 塩島 謙次
    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会 2012年03月 選考無し 応用物理学会
  • p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響
    高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島 謙次
    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会 2012年03月 選考無し 応用物理学会
  • Electrical characteristics of surface stoichiometry controlled p-GaN Schottky contacts
    塩島 謙次, 高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 田中悟, 梶原隆
    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2012) 2012年03月 選考有り 0
  • Excitation energy dependence of minority carrier transient spectroscopy spectra of n-GaN
    本田銀熙, Tatsunari Shibata, Yujiro Yamada, 徳田 豊, 塩島 謙次, Hiroyuki Ueda, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Tetsu Kach
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) 2012年01月 選考無し 0
  • Evaluation of the initial stage of formation for Ti/Al ohmic contacts by using photoresponse method
    K. Demise, H. Yokohama, G. Araki, 塩島 謙次
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) 2012年01月 選考無し 0
  • Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts
    T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, K. Nomoto, 塩島 謙次
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) 2012年01月 選考無し 0
  • P型GaN中の深い準位の評価
    山田悠二郎, 長谷川晶一, 南部大翔, 本田銀熙, 徳田 豊, 塩島 謙次
    第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 2011年12月 選考無し 公益社団法人 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • GaN上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化
    田中浩太郎, 下辻康広, 田中悟, 橋本明弘, 塩島 謙次
    平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会 2011年09月 選考無し 0
  • Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies
    本田 銀熙, 山田悠二郎, 徳田 豊, 塩島 謙次
    International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2011年09月 選考有り 0
  • Ni/p-GaNショットキー電極におけるMgドーピング濃度依存性の評価(2)
    塩島 謙次, 出店克顕
    応用物理学会学術講演会 2011年08月 選考無し 応用物理学会
  • 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性
    高橋 利文, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2011年08月 選考無し 応用物理学会
  • 一定温度MCTSによるn-GaN中炭素関連深い準位の評価
    山田悠二郎, 本田 銀熙, 徳田 豊, 塩島 謙次
    第72 回応用物理学会学術講演会 2011年08月 選考無し 応用物理学会
  • Evaluation of Mg-doping-concentration dependence for Ni/p-GaN Schottky contacts
    塩島 謙次, 出店克顕
    9th International Conference Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011年07月 選考有り 0
  • Graphene formation on GaN substrates and electrical characteristics of metal/graphene/GaN structure
    田中浩太郎, 下辻康広, 田中悟, 橋本明弘, 塩島 謙次
    Graphene 2011 2011年04月 選考有り 0
  • Ni/p-GaN ショットキー電極におけるMg ドーピング濃度依存性の評価
    出店克顕, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2011年03月 選考無し 応用物理学会
  • 炭素ドープn-GaN中の深い準位の評価
    山田悠二郎, 横井 将大, 坂崎 陽介, 石倉 正也, 徳田 豊, 塩島 謙次
    第58 回応用物理学関係連合講演会 2011年03月 選考無し 応用物理学会
  • M O C V D 成長I nP/ InGaAs HBT におけるⅤ族および S i ドーパント材料の影響
    横浜 秀雄, 塩島 謙次, 荒木 賀行
    応用物理学会学術講演会 2011年03月 選考無し 応用物理学会
  • 化合物系電子デバイス新技術
    塩島 謙次
    (独)日本学術振興会「半導体界面制御技術」第154委員会 第74回研究会 2010年11月 選考無し (独)日本学術振興会「半導体界面制御技術」第154委員会
  • 光応答法によるp-GaNショットキー電極の評価
    出店克顕, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2010年09月 選考無し 応用物理学会
  • AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響
    國塩直樹, 塩島 謙次, 秋山 一樹, 山田悠二郎, 柴田龍成, 徳田 豊
    応用物理学関係連合講演会 2010年03月 選考無し 応用物理学会
  • GaN系電子デバイスの信頼性に与える欠陥の影響
    塩島 謙次
    (独)日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第121回研究会 2010年02月 選考無し (独)日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会
  • 炭素ドーピングしたn-GaN中欠陥のDLTS、MCTSによる評価
    山田悠二郎, 塩島 謙次, 徳田 豊
    第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 2010年01月 選考無し 社団法人 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • n-GaNの深い準位への炭素の影響
    秋山 一樹, 山田悠二郎, 柴田龍成, 徳田 豊, 國塩直樹, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2009年09月 選考無し 応用物理学会
  • Observation of the effect of carbon in defect formation for MOCVD grown n-GaN on SiC substrates
    N. Kunishio, K. Shiojima, K. Akiyama, Y. Yamada, Y. Tokuda
    International Conference Nitride Semiconductors-8 (ICNS-8) 2009年01月 選考有り 0
  • 化合物半導体電子デバイス開発における物性研究
    塩島 謙次
    次世代半導体材料デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会 2008年12月 選考無し 財団法人科学技術交流財団
  • 希土類金属/p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性
    福島 慶広, 荻須 啓太, 葛原 正明, 塩島 謙次
    応用物理学会学術講演会 2008年09月 選考無し 応用物理学会
  • Theoretical investigation of GaN-based diodes with a recessed composite Schottky-barrier structure
    Hiroshi Makino, Nobuhiro Ishikawa, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara
    2008 International Conference on Solid State Devices and Materials 2008年09月 選考有り Japan Society of Applied Physics
  • Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN heterostructures
    Hironari Chikaoka, Youichi Takakuwa, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara
    2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2008年07月 選考有り IEICE, IEEK
  • MOCVD成長による InP/InGaAs HBTの信頼性評価
    荻須 啓太, 福島 慶広, 塩島 謙次, 横浜 秀雄, 荒木 賀行
    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 2008年06月 選考無し 電子情報通信学会
  • p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 - 金属仕事関数依存性 -
    福島 慶広, 荻須 啓太, 葛原 正明, 塩島 謙次
    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 2008年06月 選考無し 電子情報通信学会
  • Simulation of Breakdown Characteristics in Graded Field Plate AlGaN/GaN HEMTs
    Ryosuke Sakai, Tomotaka Okai, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara
    International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2008年05月 選考有り IEEE Electron Device Society
  • I-V and C-V characteristics of rare earth metal/p-GaN Schottky contacts
    K. Shiojima, Y. Fukushima, K. Ogisu, M. Kuzuhara
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2008) 2008年01月 選考有り 0
  • 顕微光応答法による人工視覚用刺激電極の2次元評価の可能性
    塩島謙次
    平成27年度生命科学複合研究教育センター/トランスレーショナルリサーチ推進センター合同研究交流会 2015年08月 選考無し
  • 電圧ストレス印加により劣化したn-GaNショットキー電極の2次元評価
    村瀬 真悟、太田 博、三島 友義、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り
  • 界面顕微光応答法を用いたAu/a-IGZOショットキー接触の通電劣化の2次元評価
    新郷 正人、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り
  • Ni/低Mgドープp形GaNショットキー接触の電流-電圧特性の温度依存性
    青木 俊周、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り
  • Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価
    新郷 正人、伊藤 尊史、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木行康、斎藤 大志、松川 公洋、藤原 康文、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り
  • 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価
    新郷 正人、Jianbo Liang、重川 直輝、新井 学、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月 選考有り
  • Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts
    Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka and Kenji Shiojima
    International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 2015年09月 選考有り
  • 2-Dimentional Characterization of Ion-implantation Damage in GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Kenji Shiojima, Shingo Murase, Shingo Yamamoto, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura
    International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 2015年09月 選考有り
  • Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai and Kenji Shiojima
    International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 2015年09月 選考有り
  • Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC junctions by Surface Activated Bonding
    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masato Shingo, Manabu Arai and Kenji Shiojima
    International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 2015年09月 選考有り
  • Electrical Characteristics of Au/Ni Schottky Diodes on Cleaved m-plane Surfaces of Free-standing n-GaN Substrates
    Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima
    International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015) 2015年09月 選考有り
  • GaN系デバイスにおける結晶欠陥の影響
    塩島謙次
    金属学会セミナー 2015年11月 選考無し 金属学会
    東京工業大学大岡山キャンパスにて行われる。
  • 顕微光応答法による金属/半導体界面の2次元評価
    塩島謙次
    日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 2016年01月 選考無し 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
  • 自立n-GaN 基板の劈開面に形成したショットキー電極の評価
    永縄萌,青木俊周,三島友義,塩島謙次
    日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 2016年01月 選考無し
  • 電圧ストレスにより劣化したn-GaN ショットキー接触の2 次元評価
    村瀬真悟, 太田博, 三島友義, 塩島謙次
    日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 2016年01月 選考無し 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
  • 界面顕微光応答法によるSi/SiC ヘテロ接合の2 次元評価
    新郷正人, LiangJianbo, 重川直輝, 塩島謙次
    日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 2016年01月 選考無し 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
  • n-GaN に水素イオン注入で誘起されたトラップの評価
    上田聖悟、後藤雅浩、高林洸太、徳田豊、塩島謙次、伊藤成志、八木 孝秀
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2) --表面処理の影響--
    永縄 萌、青木 俊周、三島 友義、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • Au/p形ダイアモンドショットキー接触の変位電流 p形GaNショットキー接触との比較
    塩島 謙次、青木 俊周、寺地徳之、小出康夫
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の 2次元評価(2)
    新郷 正人、伊藤 尊史、柏木 行康、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、斉藤 大志、松川 公洋、藤原 康文、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価
    今立 宏美、寺野 昭久、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS評価
    塩島謙次 , 田中丈士, 三島友義, 徳田豊
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り
  • 界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
    新郷 正人、市川 尚澄、加藤 正史、塩島 謙次
    応用物理学会春季学術講演会 2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • 界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価
    村瀬 真悟、三島 友義、中村 徹、塩島 謙次
     2016年03月 選考有り 応用物理学会
  • Displacement current of Au/p-type diamond Schottky contacts
    Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, and Kenji Shiojima
    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV) 2016年06月 選考有り
  • Mapping of ICP-Etching Induced Damages on GaN Surfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Hiroyoshi Imadate, Akihisa Terano, and Kenji Shiojima
    7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV) 2016年06月 選考有り
  • Deep Level Transient Spectroscopy of Low-Carrier Concentration n-GaN Layers Grown on Freestanding GaN Substrates
    Kenji Shiojima, Takeshi Tanaka, Tomoyoshi Mishima, and Yutaka Tokuda
    th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV) 2016年06月 選考有り
  • Mapping of Ion-Implanted n-SiC Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, and Kenji Shiojima
     2016年06月
  • Role of C Doping in Low-Carrier n-GaN Epitaxial Layers for High-Power Schottky Diode Development
    Kenji Shiojima
    2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016) 2016年07月 選考有り
  • ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価
    今立 宏美、寺野 昭久、塩島 謙次
    平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 2016年07月 選考有り
  • Temperature Dependence of Current-Voltage of Ni Schottky Diodes on Cleaved m-plane n-GaN Surfaces
    Hiroyoshi Imadate, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima
    International conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) 2016年09月 選考有り
  • 2-Dimentional Characterization of 3C-SiC Layers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
    International conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) 2016年09月 選考有り
  • Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Substrates
    Kenji Shiojima, Moe Naganawa, and Tomoyoshi Mishima
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016) 2016年10月 選考有り
  • Observation of Initial Stage of Degradation in Ni/n-GaN Schottky Diodes Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    Kenji Shiojima, Shingo Murase, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016) 2016年10月 選考有り
  • Agナノインクのディスペンサ描画によるGaN系青色LED電極の作製と評価
    柏木行康、斉藤大志、松川公洋、中許昌美、重宗翼、小泉淳、児島貴徳、藤原康文、新郷正人、伊藤尊史、塩島謙次、垣内宏之、青柳伸宜、吉田幸柏木行康、斉藤大志、松川公洋、中許昌美、重宗翼、小泉淳、児島貴徳、藤原康文、新郷正人、伊藤尊史、塩島謙次、垣内宏之、青柳伸宜、吉田幸雄
    エレクトロニクス実装学会第22回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウムMate2016 2016年02月 選考有り
  • Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価
    塩島 謙次、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木 行康、斎藤 大志、 松川 公洋、藤原 康文
    エレクトロニクス実装学会秋季大会第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2016) 2016年09月 選考有り
  • 複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価
    塩島 謙次、市川 尚澄、加藤 正史
    応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り
  • 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (3)--電流-電圧特性の温度依存性--
    今立 宏美、青木 俊周、三島 友義、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り
  • 界面顕微光応答法によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価
    橋爪孝典, 畑祐介, 加藤正史, 塩島謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り
  • 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価
    塩島謙次, 橋爪孝典, 堀切文正, 田中丈士, 三島友義
    応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り
  • Ni/N極性p-GaNショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性
    青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り
  • 界面顕微光応答法を用いたAu/p形ダイヤモンドショットキー接触の2次元評価
    青木 俊周、寺地 徳之、小出 康夫、塩島 謙次
    応用物理学会秋季学術講演会 2016年09月 選考有り

作品

  • クイズゲームソフト”NHK紅白クイズ合戦”
    塩島 謙次, 技術製品(ソフトウェア・ハードウェア等) 2009年12月

特許

  • 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
    塩島謙次
    特願特願2016-145940
  • 半導体変調素子
    塩島 謙次,
    特願2012-283832
  • 最適枕の判定方法及び判定装置
    塩島 謙次,山田 朱織,
    特願特願2008-25539
  • 最適枕の判定方法及び判定装置
    塩島 謙次,
    特願2008-025539
  • 半導体素子及びその製造方法
    塩島 謙次,
    特願2007-076401
  • T字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法
    塩島 謙次,牧村 隆司,末光 哲也,重川 直輝,
    特願2005-223941
  • USB送信機
    塩島 謙次,牧村 隆司,重川 直輝,末光 哲也,小杉 敏彦,
    特願2005-216694
  • 化合物半導体電界効果トランジスタを有する化合物半導体集積回路の製法
    塩島 謙次,日向 文明,西村 一巳,
    特願06-199966
  • 電界効果トランジスタの真性遅延時間導出方法
    塩島 謙次,末光 哲也,
    特願2004-113406
  • 半導体変調素子およびその作製方法
    塩島 謙次,牧村 隆司,重川 直輝,小杉 敏彦,
    特願2004-48175
  • ナイトライド系半導体素子の作製法
    塩島 謙次,重川 直輝,
    特願2003-60993
  • 赤外光源
    塩島 謙次,重川 直輝,鈴木 恭一,
    特願2002-214019
  • トランジスタ内部温度測定方法
    塩島 謙次,重川 直輝,末光 哲也,
    特願2002-27631
  • 特許3783851:半導体ウエハーの選別方法
    塩島 謙次,重川 直輝,
    特願2002-23005
    特番3783851
  • 特許3686362:半導体装置及び電界効果トランジスタ
    塩島 謙次,重川 直輝,榎木 孝知,
    特願2001-274735
    特番3686362
  • 特許369059:ナイトライド系化合物半導体の電界効果トランジスタ
    塩島 謙次,重川 直輝,榎木 孝知,
    特願2001-22387
    特番369059
  • オーミック電極及びその製造方法
    塩島 謙次,
    特願2001-170824
  • 特許3736673:ショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法
    塩島 謙次,末光 哲也,
    特願2000-213588
    特番3736673
  • GaN電界効果トランジスタ
    塩島 謙次,重川 直輝,
    特願11-347307
  • ナイトライド系化合物半導体の表面欠陥観察法
    塩島 謙次,
    特願11-210146
  • ショットキー型消去書き込み可能メモリー
    塩島 謙次,
    特願11-04729
  • 電圧制御型直交発振器
    塩島 謙次,束原 恒夫,石川 正幸,
    特願08-057101
  • アナログ乗算器
    塩島 謙次,束原 恒夫,石川 正幸,
    特願08-005918
  • 化合物半導体電界効果トランジスタを有する化合物半導体集積回路の製法
    塩島 謙次,日向 文明,徳光 雅美,西村 一巳,
    特願06-199965
  • 特許3201447:半導体回路装置およびその製造方法
    塩島 謙次,日向 文明,青木 達雄,浅井 和義,徳光 雅美,西村 一巳,山根 康朗,
    特願05-328362
    特番3201447
  • 特許3416980:自動液体充填方法
    塩島 謙次,平野 真,亀田 武澄,日向 文明,青木 達雄,徳光 雅美,山根 康朗,井上 考,新山 肇,西村 一巳,萩原 博,
    特願05-069753
    特番3416980
  • ショットキ接合型電界効果トランジスタの製
    塩島 謙次,日向 文明,西村 一巳,青木 達雄,徳光 雅美,浅井 和義,
    特願05-039397
  • ショットキ接合型電界効果トランジスタの製法
    塩島 謙次,日向 文明,西村 一巳,青木 達雄,浅井 和義,
    特願05-029879

受賞

  •  電子情報通信学会北陸支部 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞2012年03月
    学生による優秀発表
  •  電子情報通信学会 平成20年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労賞2009年03月
    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティにおける活動の貢献
  •  応用物理学会 JJAP(Japanese Journal of Applied Physics)貢献賞2008年04月
    JJAP誌の編集に貢献した

科学研究費補助金

  • 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2015年度
  • グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2014年度
  • グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2013年度
  • グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2012年度
  • グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2010年度
  • グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2010年度
  • グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2009年度
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究基盤研究(B)(一般)
    代表者:橋本 明弘 2009年度
    炭素系デバイスプロセス及び電気的特性の評価
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究基盤研究(B)(一般)
    代表者:橋本 明弘 2008年度
    炭素系デバイスプロセス及び電気的特性の評価
  • 金属を用いない高耐熱電極に関する研究若手研究(スタートアップ)
    代表者:塩島 謙次 2007年度
    材料系の選択、試料作製、測定系の整備、技術調査
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究基盤研究(B)(一般)
    代表者:橋本 明弘 2007年度
    炭素系デバイスプロセス及び電気的特性の評価
  • 金属を用いない高耐熱電極に関する研究若手研究(スタートアップ)
    代表者:塩島 謙次 2006年度
  • 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2016年度
  • 顕微光応答法による金属/ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2017年度
  • 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2018年度
  • 近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属/半導体界面の劣化機構の2次元評価基盤研究(C)(一般)
    代表者:塩島 謙次 2019年度

プロジェクト活動

  • 基礎物性評価プロジェクト
    研究期間:2014年01月 - 2018年03月  代表者:塩島 謙次,入江 聡,本田 知己,内村 知博,山本晃司,牧野 哲征,鈴木 悠,米沢 晋,末 信一朗,
    固体物質の各種特性(構造的、組成的、化学的、光学的、電気的、機械的、磁気的等)を評価するオリジナルな手法を提案し、材料物性の新たな知見を見いだすと共に、分析依頼サービス、装置自体のビジネス販売等を創成する。

その他

  •  応用物理学会 北陸・信越支部役員会
    役員会の開催
  •  応用物理学会 北陸・信越支部役員会
    役員会の開催
  •  応用物理学会 北陸・信越支部役員会
    役員会の開催
  •  応用物理学会 北陸・信越支部役員会、総会
    役員会、総会の開催
  •  応用物理学会 北陸・信越支部役員会
    役員会の開催
  •  GaN系電子デバイス研究の現状と展望
    福井大学VBL起業講演会にて講演
  •  ナイトライド系電子デバイスプロセス技術の共同研究
    首都大学東京とNTTとの共同研究
  •  大口径基板上の高周波用AlGaN/GaN HEMTの研究開発
    名古屋工業大学とNTTとの共同研究(文部科学省共同研究A区分)

教育活動情報

担当授業

  • 電磁気学基礎(a)
  • 電磁気学基礎(a)
  • 電子回路
  • 電子回路
  • 物理学Ⅱ
  • アナログ電子回路
  • 半導体デバイス概論
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅰ
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅱ
  • 半導体プロセス工学
  • 科学技術社会論
  • 物理学Ⅱ
  • アナログ電子回路
  • 半導体デバイス概論
  • 半導体プロセス工学
  • 物理学Ⅱ
  • アナログ電子回路
  • 半導体デバイス概論
  • 半導体プロセス工学
  • 物理学Ⅱ
  • アナログ電子回路
  • 半導体デバイス概論
  • 半導体プロセス特論
  • 物理学Ⅱ
  • 物理学Ⅱ
  • アナログ電子回路
  • 半導体デバイス概論
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅰ
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅱ
  • 電気・電子工学PBL
  • 半導体プロセス工学
  • 半導体プロセス工学
  • 主専門研究ゼミナールⅠ
  • 主専門研究ゼミナールⅡ
  • アナログ電子回路
  • 物理学Ⅱ
  • アナログ電子回路
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅰ
  • 電気・電子工学特別演習及び実験Ⅱ
  • 電気・電子工学PBL
  • 半導体プロセス工学
  • 半導体プロセス工学
  • 主専門研究ゼミナールⅡ
  • 電磁気学基礎